sciing
12.09.2005, 19:22
Hallo zusammen!
Ich wollte mal eine neuen Thread eröffnen in dem spekuliert werden soll, was bei 45nm alles so rein kommt. Schliesslich ist gerade die Zeit in der festgelegt, was geht und was geht nicht. Leider gibt es noch nicht so viele Infos.
Litho:
Nachdem 157(?)nm ja Tod ist und EUV noch lange nicht reif, wird also weiter mit 193nm und (neu) mit Immersionslithografie gearbeitet. Dabei wird zwischen Linsen und Wafer Wasser gebracht was den deep of focus verbessert. Gleichzeitig werden die Aparturen (high NA) was Auflösungsvermögen verbessert. Dazu noch alle Resolution Enhancement Techniques (RET) wie Quadropolbeleuchtung, Phase Shift Masken und optischen Proximity Korrektur (OPC), was aber schon mit 65nm ziemlich ausgereizt wird. (Entschuldigung für das Denglisch, aber es gibt nunmal selten deutsche Fachbegrifffe)
Gate:
Die Materialien scheinen ja noch völlig offen. Intel wollte eigentlich high-k (HfSiO) bringen und diese mit sogenannten Metallgates (FuSi???- fully silicided) verbinden. Machte aber in letzter Zeit eher zurückhaltende Antworten.
Die Gatelänge ist irgentwo bei 22 nm, TOx (equ.) wohl bei 1 nm. Strained silicon kommt in der x.ten Generation.
Intel scheint weiterhin kein SOI zu verwenden (???).
AMD/IBM setzt auf eine Kombination: http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php?p=2265103#post2265103. Die NFET sind SOI und die PFET bulk. Dadurch kann man mit verschiedenen Kristallrichtungen für die Kanäle arbeiten.
Was komisch ist, dass keiner bis jetzt 3 dimensionale Devices (z.B. FinFETs) machen will (oder doch??). Dabei verwendet SAMSUNG schon bei seinen 90nm-DRAM so etwas ähnliches (s. RCAT http://www.micromagazine.com/archive/05/07/chipworks.html)
Verdrahtung:
Kupfer was sonst, obwohl es ja ziemlich in Frage gestellt wurde. Denn es könnte das Aluminium bei kleineren Strukturen besser ist, oder besser Kupfer wird gleich schlecht. Ersatz (Silber??) ist glaube ich nicht in Sicht.
Ich denke aber, dass man bei Kupfer bleiben wird. Aluminium ist einfach nicht prozessfähig, da der notwendige Damascene-Prozess mit Alu nicht geht.
Bleibt die Frage nach den low-k Materialien. Noch vor 5 Jahren war das ein Riesen-Thema, aber jetzt scheint man sich mit kohlenstoffhaltigen SiO bei k=2.x zufrieden zu geben bzw. zu geben müssen. Tja poröse und/oder organsiche Materialien sind wohl nicht geeignet. Siehe den Tod von SiLK.
Die Spekulation ist eröffnet.
Tschau Sören
PS: Meine Links sind dürftig, wer will kann sie Vervollständigen
Ich wollte mal eine neuen Thread eröffnen in dem spekuliert werden soll, was bei 45nm alles so rein kommt. Schliesslich ist gerade die Zeit in der festgelegt, was geht und was geht nicht. Leider gibt es noch nicht so viele Infos.
Litho:
Nachdem 157(?)nm ja Tod ist und EUV noch lange nicht reif, wird also weiter mit 193nm und (neu) mit Immersionslithografie gearbeitet. Dabei wird zwischen Linsen und Wafer Wasser gebracht was den deep of focus verbessert. Gleichzeitig werden die Aparturen (high NA) was Auflösungsvermögen verbessert. Dazu noch alle Resolution Enhancement Techniques (RET) wie Quadropolbeleuchtung, Phase Shift Masken und optischen Proximity Korrektur (OPC), was aber schon mit 65nm ziemlich ausgereizt wird. (Entschuldigung für das Denglisch, aber es gibt nunmal selten deutsche Fachbegrifffe)
Gate:
Die Materialien scheinen ja noch völlig offen. Intel wollte eigentlich high-k (HfSiO) bringen und diese mit sogenannten Metallgates (FuSi???- fully silicided) verbinden. Machte aber in letzter Zeit eher zurückhaltende Antworten.
Die Gatelänge ist irgentwo bei 22 nm, TOx (equ.) wohl bei 1 nm. Strained silicon kommt in der x.ten Generation.
Intel scheint weiterhin kein SOI zu verwenden (???).
AMD/IBM setzt auf eine Kombination: http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php?p=2265103#post2265103. Die NFET sind SOI und die PFET bulk. Dadurch kann man mit verschiedenen Kristallrichtungen für die Kanäle arbeiten.
Was komisch ist, dass keiner bis jetzt 3 dimensionale Devices (z.B. FinFETs) machen will (oder doch??). Dabei verwendet SAMSUNG schon bei seinen 90nm-DRAM so etwas ähnliches (s. RCAT http://www.micromagazine.com/archive/05/07/chipworks.html)
Verdrahtung:
Kupfer was sonst, obwohl es ja ziemlich in Frage gestellt wurde. Denn es könnte das Aluminium bei kleineren Strukturen besser ist, oder besser Kupfer wird gleich schlecht. Ersatz (Silber??) ist glaube ich nicht in Sicht.
Ich denke aber, dass man bei Kupfer bleiben wird. Aluminium ist einfach nicht prozessfähig, da der notwendige Damascene-Prozess mit Alu nicht geht.
Bleibt die Frage nach den low-k Materialien. Noch vor 5 Jahren war das ein Riesen-Thema, aber jetzt scheint man sich mit kohlenstoffhaltigen SiO bei k=2.x zufrieden zu geben bzw. zu geben müssen. Tja poröse und/oder organsiche Materialien sind wohl nicht geeignet. Siehe den Tod von SiLK.
Die Spekulation ist eröffnet.
Tschau Sören
PS: Meine Links sind dürftig, wer will kann sie Vervollständigen