rkinet
04.12.2005, 18:36
http://www.xbitlabs.com/news/other/display/20051201204501.html
oder: http://www.heise.de/newsticker/meldung/66955
Dafür wird die EUV-Lithographie verwendet, während man sonst für 45/32nm von 193i (Immersionslithographie) spricht.
Naja, 2009 ist einen Intel Schätzung auf Basis einer selbstgestrickten Roadmap von früher.
Aber Pat Gelsinger dürfte schon einige Insider-Infos haben, daß der Zeitplan grob so auch funktioniert.
---
Bei 45nm ist Intel noch bei 30nm Gatelänge, erst bei 32nm dann auf 20nm.
AMD hingegen will bei 45nm auf 20nm Gatelänge kommen - das Geheimnis des Intel-'Vorsprungs' bekommt eine Gestalt.
s. http://scr3.golem.de/?d=0512/intel_65nm&a=42003&s=3
bzw. aus http://www.golem.de/0512/42003.html
---
http://eetimes.de/semi/news/showArticle.jhtml;jsessionid=ZFSUHODNKFC24QSNDBCCKHSCJUMEKJVN?articleID=174909075
Eine geeignet Lichtquelle für EUV gibts jetzt - 'Made in Germany'
Angedacht für ca. 2010 & 32 nm
oder: http://www.heise.de/newsticker/meldung/66955
Dafür wird die EUV-Lithographie verwendet, während man sonst für 45/32nm von 193i (Immersionslithographie) spricht.
Naja, 2009 ist einen Intel Schätzung auf Basis einer selbstgestrickten Roadmap von früher.
Aber Pat Gelsinger dürfte schon einige Insider-Infos haben, daß der Zeitplan grob so auch funktioniert.
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Bei 45nm ist Intel noch bei 30nm Gatelänge, erst bei 32nm dann auf 20nm.
AMD hingegen will bei 45nm auf 20nm Gatelänge kommen - das Geheimnis des Intel-'Vorsprungs' bekommt eine Gestalt.
s. http://scr3.golem.de/?d=0512/intel_65nm&a=42003&s=3
bzw. aus http://www.golem.de/0512/42003.html
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http://eetimes.de/semi/news/showArticle.jhtml;jsessionid=ZFSUHODNKFC24QSNDBCCKHSCJUMEKJVN?articleID=174909075
Eine geeignet Lichtquelle für EUV gibts jetzt - 'Made in Germany'
Angedacht für ca. 2010 & 32 nm