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GLOBALFOUNDRIES Calls for Renewed Focus on 300mm Manufacturing Innovation

Pressemitteilung

Hinweis: Dieser Inhalt ist eine Pressemitteilung des Herstellers. Planet 3DNow! prüft weder die Richtigkeit der Angaben noch die Art der Formulierung. Pressemitteilungen können subjektiv sein und geben nicht notwendigerweise die Meinung der auf Planet 3DNow! schreibenden Autoren wieder.
At SEMICON West, the new leading-edge semiconductor foundry describes the need for increasing efficiency and minimizing waste in the 300mm manufacturing process

SAN FRANCISCO, CA – July 14, 2009 – In its effort to meet the ever-increasing demands of consumer technology, the semiconductor industry has long been preoccupied with smaller transistors and larger silicon wafers. While these are important tactics, opportunities for increasing efficiency, becoming more agile, and minimizing waste are often overlooked in manufacturing processes, according to Thomas Sonderman, vice president of manufacturing systems and technology at GLOBALFOUNDRIES.

At SEMICON West 2009, Sonderman is calling for a renewed focus on operational agility in the semiconductor manufacturing industry, particularly in light of increased pressure to move to processes based on 450 millimeter (mm) wafers.

“The rush to 450mm suggests a lack of ideas for improving fab productivity,” Sonderman said. “At GLOBALFOUNDRIES, we see a tremendous amount of headroom left in the 300mm process. We are tapping our expertise in lean manufacturing to extend the lifecycle of the industry’s current 300mm investments, and we are investing more than $4 billion in a new, state-of-the-art 300mm fab in upstate New York because we are confident in our ability to get the most out of this technology generation.”

Sonderman will be participating today in the SEMICON West Foundry Summit, a two-hour panel discussion on the market strategies, technologies, capital spending, and other strategic plans of the world's major chip foundries. He cites GLOBALFOUNDRIES’ rapid transition and time to mature yield at the 45 nanometer (nm) process node as a model for operational efficiency in the industry.

During the transition to 45nm, GLOBALFOUNDRIES achieved the fastest time to mature yield of any process in its history, while simultaneously implementing a complex new form of lithography—immersion lithography—ahead of all other semiconductor manufacturers. Immersion lithography allows for enhanced microprocessor design definition and manufacturing consistency by placing a fluid, instead of air, between the final element of the lens of a lithographic exposure tool and the wafer.

All wafer starts in Fab 1, Module 1 have now been converted to 45nm—a process that is proving to deliver few defects, low leakage, and high performance. GLOBALFOUNDRIES and AMD recently announced the launch of a six-core processor codenamed “Istanbul,” which was manufactured using the 45 nm process. “Istanbul” is the most complex processor ever designed by AMD, and GLOBALFOUNDRIES’ manufacturing agility allowed AMD to deliver “Istanbul” five months ahead of schedule.

“The agility and execution of our design and engineering teams combined with the leading-edge manufacturing of GLOBALFOUNDRIES made possible an early, well-executed delivery of Six-Core AMD Opteron™ processors to customers,” said Rick Bergman, senior vice president and general manager of the AMD Products Group. “As our silicon designs get ever more complex, it is critical to retain this close collaboration and reliable execution as we deliver the next wave of processing innovation on the x86 platform.”

A key to GLOBALFOUNDRIES operational agility is a model based on highly automated decision-making and “lean” manufacturing principles, called Automated Precision Manufacturing (APM). APM allows GLOBALFOUNDRIES to precisely tune manufacturing operations to align production with customer demand—all while minimizing waste and reducing cycle time, inventory, and ultimately costs.

APM will be taken to the next level with the construction of Fab 2—an estimated $4.2 billion project to build the world’s most advanced 300mm semiconductor foundry in Saratoga County, N.Y.

“When Fab 2 begins volume production in approximately 2012, it will be part of an integrated global network linked by the next generation of APM,” said Norm Armour, vice president and general manager of GLOBALFOUNDRIES Fab 2. “The next generation of APM will feature interoperable technologies across multiple fabs and the implementation of lean processes in all aspects of manufacturing, from the front end of the supply chain to the final wafers out the door of the fab.”

Armour will participate today in the annual SEMI Press Luncheon at SEMICON West, where he will present a history of the Fab 2 project and an overview of the capabilities of the new leading-edge facility, which is being designed to support 28/22nm process technologies.

ABOUT GLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIES is the world’s first truly global leading-edge semiconductor manufacturing company. Launched in March 2009 through a partnership between AMD [NYSE: AMD] and the Advanced Technology Investment Company (ATIC), GLOBALFOUNDRIES provides a unique combination of leading-edge technology, manufacturing excellence and global operations. GLOBALFOUNDRIES is headquartered in Silicon Valley with facilities in Austin, Dresden and New York.

For more information on GLOBALFOUNDRIES, visit www.globalfoundries.com
 
Der Inquirer berichtet über die Semicon West 2009 und die aktuelle Debatte rund um 450mm-Wafer.

Vor allem Intel, Samsung und TSMC forcieren die Entwicklung von besonders großen Wafern mit einem Durchmesser von 450 mm. Standard ist bisher 300 mm und auch noch 200 mm. Intels Roadmap sieht den Einsatz ab 2012 vor.

Der Manager von Global Foundries Tom Sonderman spricht sich gegen den frühen Einsatz aus. Auch die Allianzpartner IBM, Charatered aus Singapur und die aufstrebende rotchinesische Foundry-Macht SMIC sprechen sich dagegen aus.
Zu hoch seien die Einstiegskosten, wenn im Vergleich dazu sogar noch ein schwunghafter Handel mit gebrauchten Tools der vorletzten Generation in 200 mm-Wafertechnik gäbe.

Der Branche sitzt immer noch die Krise von 2001 - 2002 in den Knochen. Damals wie heute sind die Toolhersteller mit heftigen Nachfrage-Einbrüchen gepeinigt. Die schnelle Umrüstung auf 450 mm-Wafer kostet viel und geht zu Lasten der Weiterentwiklung der bisherigen Werksmaschinen, die auf 300 mm-Wafer eingerichtet sind. Tom Sonderman weist darauf hin, dass AMDs Fab vergleichsweise spät (2005) in die 300 mm-Wafertechnik eingestiegen sei und dennoch im Kostenbereich mithalten konnte zum Konkurrenten Intel. Intel nutze deutlich früher entsprechend umgerüstete 300 mm-Fabs.

Siehe dazu die Meldung: "450mm wafers just a distraction say fab execs" [theinquirer.net] (16. Juli 2009).


Zum Stand der Technik Mitte 2009 bei Global Foundries als Videostream: "Tom Sonderman Discusses Upcoming Chip Manufacturing Technology".
Darin wird der Istanbul im Sommer 2009 mit stolzgeschwellter Brust gezeigt. 45 nm als aktuelle Chiptechnik auch für sehr große Prozessoren mit sechs Kernen.
Semiaccurate.com berichtete ebenso darüber am 31. Mai 2009.
Erste Produkte für 32 nm (Bulk und SOI) werden für 2010 erwartet. Erste Designs für Bulk-Chips in 32 nm werden in der zweiten Jahreshälfte 2009 angenommen. Sogar die 28 nm-Technik soll in 2010 für erste Produkte zur Verfügung stehen.

Alternative Lithographie
Mechanische Lithographie von Molecular Imprints mit den ersten Anwendern Fujitsu und Hitachi für Festplatten: "Imprint lithography stamps out chips" [semiaccurate.com] (15. Juli 2009).


Notizen zum Stand von 22nm-Technik und kleiner:

Intels 32 nm - 16 nm
Zum Stand von Intels 32 nm Prozessoren und geplanten Weiterentwicklung: "Intel says no to 28nm, focuses on 22nm: Ivy Bridge/Haswell & Larrabee" [brightsideofnews.com] (16. Juli 2009).

IMEC berichtet über Zwischenschritte für 22 nm
"IMEC claims a 22nm scaling breakthrough " [theinquirer.net] (16. Juli 2009).
Die transnationale belgische Forschungseinrichtung IMEC stellt mit einigen Partnern wie Intel, TSMC, ST, Qualcomm und Sony Zwischenergebnisse vor. Die high-K Metal-Gate-Fertigung wird verfeinert mit Germanium-pFET Transistoren und dem sogenannten Metal Inserted Poly-Silicon (MIPS).

Deutsche Boundig-Technik mit der IMEC
Die Chipverbindungstechnik wächst im gleichen Maße mit der Entwicklung von kleineren Chipstrukturen mit: "IMEC and SUSS MicroTec join forces on wafer bonding development" [fabtech.org] (14. Juli 2009).
Süss Micro Tec ist eine deutscher Tool-Hersteller und arbeitete schon früh mit IBM an neuen Chip-Bonding-Technologien zusammen.

SOI in 3D
AMDs und IBMs Hauptliferant von SOI-Wafern arbeitet nicht nur an Wafern für 22 nm und kleiner. Die nächste Stufe der Integration ist das Verbinden von Chips/Wafern, so dass aus planaren (flächigen) Chips Halbleiter werden, die in die Höhe wachsen: "Soitec teams with IBM on 22nm and beyond wafer-level 3D integration technology" [fabtech.org] (14. Juli 2009).

EUV bald einsatzbereit?
Wird die Nachfolgetechnik der bisherigen Lithographie nun bald doch serienreif? EUV (Lithographie mit harter UV-/weicher Röntgenstrahlung) wird vor allem vom Cymer entwickelt. Sie gelten als Marktführer bei der Entwicklung von EUV-Tools: "Cymer ships world’s first LPP EUV tool to ASML; reaches EUVL exposure milestone" [fabtech.org] (13. Juli 2009).
Der bedeutsame niederländische transnationale Toolhersteller ASML bekommt die erste "fully integrated laser-produced plasma (LPP) Extreme Ultraviolet (EUV) lithography source tool". Mit 75 Watt Lichtleistung können bis 60 300mm Wafer in der Minute belichtet werden. Angestrebtes Ziel sind 100 Watt Strahlungsleistung für entsprechende Lithographie-Scanner.

MFG Bobo(2009) Martin Bobowsky
 
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