Spule wickeln

[ghostadmin]

Ich bräuchte eine Spule mit 220µH und ~5A.

Beim T 106-26 Ringkern ergibt das 49 Windungen. Welche Drahtstärke brauche ich da nun?

Schaltung ist hier:
http://www.rolf-schoene.de/html/desulfator.html

Oder kann man einfach 2x 100µH Spulen seriell schalten?

[migmicha]

Induktivitäten addieren sich in serieller Schaltung, also kann man auch zwei Spulen in Reihe schalten.
Selbst wickeln mache ich auch nicht, zu viel Toleranzen ohne es wirklich messen zu können.

[ghostadmin]

LCR lässt sich mit dem PC messen

Ich habe noch ein paar alte Spulen gefunden, die werde ich einfach abwickeln.

[ghostadmin]

Wenn da steht Fast recovery diode mit 6A/100V, kann man auch eine mit 200V nehmen? Glaube das sind Gleichrichterdioden

[Allfred]

Ja kannst Du, aber dann ist sie nicht mehr ganz so "fast".

[ghostadmin]

sollte man dann da besser eine 100V 5A FRD nehmen anstatt einer FRD 150V mit 8A ?

[Allfred]

Schaue Dir doch in Datenblatt die Recovery-Timings an. Normaler weise sollte jede Schottky-Diode die FRD in den Schatten stellen. Ich würde mir ein altes ATX NT krallen und eine von den Doppeldioden nach nutzen: Erstens gibts kaum Strom und Zweitens kaum Spannung.

Spoiler

3. habe ich einen original Novitec MEGAPULSE

[ghostadmin]

ich meinte eigentlich wegen der spannung, weils bei reichelt keine frd mit 100v gibt, nur ab 150v

[Allfred]

Laut Schaltbild: je schneller sich die Diode vom Sperrzustand löst (parasitäre Kapazität der Sperrschicht) um so weniger kann sich die Induktion aufbauen. MMn könnte eine 30V Schottky auch den Job machen, vll sogar besser.

[Reisi]

Prinzipiell reicht in der Anwendung jede Diode mit einer min. Sperrspannung von ca. 30V und einen min. Strom von ca. 2A. Es muss auch keine High Speed Diode sein.

Kannst also problemlos auch eine 150V Diode nehmen.

Zitat von Allfred

Laut Schaltbild: je schneller sich die Diode vom Sperrzustand löst (parasitäre Kapazität der Sperrschicht) um so weniger kann sich die Induktion aufbauen. MMn könnte eine 30V Schottky auch den Job machen, vll sogar besser.

Der Reverse Recovery Fall tritt in der Anwendung nicht ein, da in dem Moment, wo an der Diode eine Sperrspannung angelegt wird die Spule schon wieder entladen ist, und somit auch kein Strom mehr durch die Diode fließt.
Eine Schottky Diode würde auch funktionieren ist in diesem speziellen Fall aber nicht besser, da die Summe aller parasitären Spannungsabfälle die Länge des Ladepulses beeinflusst. Je höher diese sind, desto kürzer ist der Puls (genau das ist gewünscht)

[Allfred]

in dem Moment, wo an der Diode eine Sperrspannung angelegt wird die Spule schon wieder entladen ist, und somit auch kein Strom mehr durch die Diode fließt.

Umgekehrt: "in dem Moment, wo an der Diode eine Sperrspannung angelegt wird [wird] die Spule geladen ist, und somit auch kein Strom mehr durch die Diode fließt." Auch folge ich nicht der Theorie über die Pulslänge, diese kommt vom Timer. Für den 12V Akku ist nun wichtig, daß die Induktionsspitzen (mit fester Frequenz) auf den Ladestrom moduliert werden. Je kräftiger, um so besser. Also empfinde ich die Freilaufdiode mit minimaler Recovery Zeit und geringer Fluss-Spannung als erstrebenswert.

[Reisi]

Zitat von Allfred

Umgekehrt: "in dem Moment, wo an der Diode eine Sperrspannung angelegt wird [wird] die Spule geladen ist, und somit auch kein Strom mehr durch die Diode fließt."

Nein, war schon richtig so, es fehlt nur ein Komma:

...da in dem Moment, wo an der Diode eine Sperrspannung angelegt wird, die Spule schon wieder entladen ist, und somit auch kein Strom mehr durch die Diode fließt.

Würde in dem Moment, in dem der Transistor einschaltet, noch ein Strom durch die Diode fließen, wäre eine High Speed Diode notwendig. Das ist aber hier nicht der Fall, somit ist die Reverse Recovery Zeit vollkommen egal.

Zitat von Allfred

Auch folge ich nicht der Theorie über die Pulslänge, diese kommt vom Timer.

Nö der Timer bestimmt die Ladezeit der Spule ( indem Fall ca. 33µs), die Spule wird aber komplett aus C5 geladen. Die Pulslänge beim Entladen kann man sich über U=L*di/dt errechnen. Der Strom fließt dabei über C5 durch die Batterie und über D2 wieder zurück, da aber C5 gleichspannungstechnisch die gleiche Spannung hat wie die Batterie bleibt nur noch die Flussspannung der Diode übrig. Dementsprechend ist dt indirekt proportional zu Uf (und die Summe aller Spannungen an parasitären Widerständen).
Das ist letztendlich nur ein kleiner Unterschied, aber die Silizium Diode hat die Nase knapp vorne.

PS:
Spice Plot:

[Allfred]

Sehe ich komplett anders: Entladen wird L2 über C5 und den Innenwiderstand des Akkus (wenige Milliohm). Geladen wird L2 über den Transistor und die winzige Induktivität L1. Den Beginn des Aufbaues des Magnetfeldes in L2 verstehe ich als Aufladung.
Falls mal kein Akku angeschlossen ist, kann sich die L2 nur noch über L1/D1 entladen.
Scheint aber "akademisch" zu werden, den wahren Ladebeginn zu suchen.
Man kann auch die Ladung von C5 über L2 betrachten und den Transistor als Ladeunterbrecher sehen...

[ghostadmin]

Geht es bei der Diode nicht darum den IC zu schützen? (nicht meine Worte, kenne mich da zu wenig aus)

Ich würde jetzt einfach eine Ultra Fast Gleichrichterdiode, TO220AC, 150V, 8A für 46ct nehmen. Die +40ct machens auch nicht Fett.

Machts eigentlich Sinn Low Esr SMD Elkos bei Lochraster zu nehmen?
Grad wenn das im Auto ist (Temperatur) oder doch lieber normale ESR Elkos.

[Allfred]

bleibe bei low ESR. Um die Impulsübertragung (Peak) sogar noch zu verbessern noch einen 4,7µF MKT Kondensator parallel (oder sonstige induktionsarme Tonfrequenz Kondensatoren).

Wie ich schon andeutete, so ein altes ATX NT ist eine wahre Schatztruhe.

[ghostadmin]

Irgendwie haperts bei der Kommunikation heute bei uns beiden

Ich meine sowas:


oder


Habe gesehen das es auch Layouts mit N channel mosfet gibt, die sollen wollen weniger Strom brauchen wegen kleinerem Innenwiederstand
http://hmin.tripod.com/als/andysm/dr...y/desulf62.gif

[Reisi]

Zitat von Allfred

Sehe ich komplett anders: Entladen wird L2 über C5 und den Innenwiderstand des Akkus (wenige Milliohm). Geladen wird L2 über den Transistor und die winzige Induktivität L1. Den Beginn des Aufbaues des Magnetfeldes in L2 verstehe ich als Aufladung.
Falls mal kein Akku angeschlossen ist, kann sich die L2 nur noch über L1/D1 entladen.
Scheint aber "akademisch" zu werden, den wahren Ladebeginn zu suchen.
Man kann auch die Ladung von C5 über L2 betrachten und den Transistor als Ladeunterbrecher sehen...

Ich meinte nicht L2, sondern L1, die erzeugt letztendlich auch die Pulse.


in der On-Phase (des Transistors) wird L1 über C5 geladen auf 1,82A.
In der Off-Phase fließt der Strom durch C5 in die Batterie und über D2 zurück zur Spule. Die Maschengleichung für den Fall lautet also:

und daraus kann man dann die Länge des Entladepulses (der Spule L1) errechnen:


Da negativ ist, kürzt sich das Vorzeichen raus und es bleibt genau das übrig, was ich bereits erwähnt habe.

L2 spielt hierbei überhaupt keine Rolle, die hat nur die Aufgabe C5 gleichspannungsmäßig mit der Batterie zu verbinden, so dass sich C5 über die Batterie aufladen kann. Wechselspannungsmäßig sorgt L2 aber für eine Unterbrechung von der Batterie, damit L1 nur von C5 geladen wird und sich nur über C5 in die Batterie entladen kann.

Ghostadmin:
Ist an und für dich egal, nimm den mit dem geringeren ESR.
Ein kleiner hochkapazitiver SMD Kerko (so mit 10µF) parallel dazu ist aber durchaus sinnvoll.

[Allfred]

Alle Achtung: L2 ist das Arbeitstier! 1000µH vs. 22µH. Daher also die Interpretationsarten.

[Reisi]

Zitat von Allfred

Alle Achtung: L2 ist das Arbeitstier! 1000µH vs. 22µH. Daher also die Interpretationsarten.

Hast du dir den Schaltplan überhaupt schon mal angeschaut? Da steht bei L1 220µH/3A5 und bei L2 1mH/1A. Jetzt überleg mal wie eine Spule, die für 1A ausgelegt ist(und bei mehr in die Sättigung geht), Stromimpule von mehreren Ampere erzeugen soll.

Les dir bitte mal diesen Artikel durch, vielleicht glaubst du ja dem Erfinder der Schaltung.

[Allfred]

Diese Stromangaben sind DC Stromstärken. Die exorbitanten Nadelspitzen gegen die Sulfatierung haben nicht viel gemeinsam mit den DC Belastungen.
Du hast aber Recht, meine Interpretation war nicht im Sinne des Erfinders. Ich sah die Maschen anders, L2 als peaksendende Induktivität, L1 als Begrenzung der Stromanstiegs bei der Entladung C5 durch den FET...

[migmicha]

Reisis Argumenmtation passt schon,a uch wenn ich die Schaltung jetzt am Abend nicht 100% verstehe.
Aber die große Spule ist im Wechselstromsinn ein ~40-fach höherer Widerstand bei gleicher Frequenz(XL=2*pi*f*L). Und Strom geht den Weg des geringsten Widerstandes. Die Diode zählt so gesehen erstmal gar nichts, ist kein wirklicher Widerstand.
Außerdem nimmt die Induktivität in der Sättigung extrem stark ab, also dimensioniert man Spulen allgemein immer beim (Nenn-)Strom ein gutes Stück über dem Maximalwert.

[Reisi]

Zitat von Allfred

Diese Stromangaben sind DC Stromstärken. Die exorbitanten Nadelspitzen gegen die Sulfatierung haben nicht viel gemeinsam mit den DC Belastungen.

Das wird zwar in den Datenblättern meist als "rated DC current" bezeichnet, das ist aber der Punkt, an dem der Kern langsam in die Sättigung kommt (sind meist 20-30%, genaueres muss man den Datenblättern entnehmen). Bei mehr Strom ist die Spule keine Induktivität mehr, sondern nur noch ein Stück Draht, das dementsprechend auch keine Energie mehr speichern kann. Deshalb ist das auch der absolute zulässige Maximalwert.

[ghostadmin]

schaut auch gut aus:
http://www.instructables.com/id/Desu...an-Altoids-Ti/

die Schaltung mit p channel FET zieht 40mA, vielleicht geht das mit n channel besser