Besonders hervorgehoben wird seitens AMD der neue 45 nm Prozess, wobei man hier wieder ganz besonders stolz auf den kurzen Zeitraum ist, in dem man es vom Test- zum Produktionswafer geschafft hat. Das in Zusammenarbeit mit IBM entwickelte Verfahren verspricht vor allem die Leckströme drastisch zu reduzieren. Das Immersion Lithography genannte Produktionsverfahren setzt auf neue Lithographie-Methoden, die zur Erzeugung der Strukturen auf den Siliziumwafern eingesetzt werden. Exaktere, feinere, kleinere und damit stromsparenderer und schneller schaltende Transistoren sollen sich damit abbilden lassen.