Intel-News: Einzelheiten zu Tri-Gate-Transistoren

Wie der Newsdienst heise.de <a href="http://www.heise.de/newsticker/data/ciw-17.09.02-000/" target="b">berichtet</a>, hat Intel heute neue Einzelheiten zur Entwicklung von dreidimensionalen Transistoren, so genannten "Tri-Gate-Transistoren" veröffentlicht. Ähnlich wie die von AMD entwickelten <a href="http://www.planet3dnow.de/cgi-bin/newspub/viewnews.cgi?category=1&id=1031653444">FinFETs</a>, besitzen die neu entwickelten Transistoren drei Gates und sollen gegenüber ihren herkömmlichen zweidimensionalen Vorgängern reduzierte Leistungsverluste aufweisen.
Hier ein kurzer Auszug:
<ul><i>Durch den dreidimensionalen Aufbau und die drei Steuerelektroden steht dem Strom beim Fluss durch den Transistor ein größeres Leitervolumen zur Verfügung, was den Widerstand senkt. Bei vergleichbarer Gate-Größe stellen sich um rund 20 Prozent größere Steuerströme als bei Planartransistoren ein, was den Einschaltvorgang beschleunigt und so höhere Taktfrequenzen erlaubt.</ul></i>
Die vollständige, sehr interessante Newsmeldung mit vielen weiterführenden Links findet ihr bei <a href="http://www.heise.de/newsticker/data/ciw-17.09.02-000/" target="b">heise.de</a>