Wann kommt SSDOI ?

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Hallo Herr Gütter,

mich würde interessieren, wie der Stand bei diesem neuen Herstellungsverfahren ist. Wird es noch in der 90nm Produktion zum Einsatz kommen, oder erst bei 65nm? Gibt es vielleicht noch Probleme wie bei IBM, oder macht man gar noch einen Zwischenschritt mit FD-SOI ?

Vielen Dank für ihre Antwort
Markus
 
Ooops. Was bitte ist SSDOI? Bitte um Aufklärung, dann kann ich vielleicht etwas herausfinden.

Jan


Original geschrieben von Registered
Hallo Herr Gütter,

mich würde interessieren, wie der Stand bei diesem neuen Herstellungsverfahren ist. Wird es noch in der 90nm Produktion zum Einsatz kommen, oder erst bei 65nm? Gibt es vielleicht noch Probleme wie bei IBM, oder macht man gar noch einen Zwischenschritt mit FD-SOI ?

Vielen Dank für ihre Antwort
Markus
 
er meint SSSIO= Strained Silicon Silicon on Insulator :D

eher glaube ich FDSOI
 
Sorry ;) SSDOI = Strained Silicon Directly On Isolator
Es ist also die Verbindung des Strained Silicon, auf das Intel momentan setzt und SOI, welches von AMD genutzt wird

AMD-Ingenieure sollen doch schon seit einiger Zeit bei IBM in Fishkill sein, um dort zusammen daran zu forschen, bzw. es serienreif zu bekommen.

IBMs neueste Prozessorgeneration für Apple nutzt SSDOI, jedoch hat man noch Probleme mit der Yield, bzw. der Ausbeute an guten Cores.
Deshalb wollte ich wissen, ob AMD noch bis zu 65nm wartet, oder es vielleicht schon 2005 bei den DualCores oder Low-Power CPUs zum Einsatz kommt. Denn mit SSDOI könnte man die Spannung bei gleicher Frequenz weiter senken
 
ohh da ist wohl was an mir vorbeigerast, aber wer kann sich die ganzen sachen schon merken. ;=)
Donnerstag, 12. Juni 2003

AMD präsentiert neue Forschungsergebnisse
19:18 - Autor: Nero24

Forscher von AMD haben auf dem VLSI Symposium in Kyoto, Japan, Einzelheiten über Transistorentwicklungen präsentiert, die die höchste bisher erreichbare Performance erzielen sollen. Die neuen Transistoren sollen in künftigen Mikroprozessordesigns zum Einsatz kommen.

Eines der heute vorgestellten Transistorpaare basiert auf der Fully-Depleted Silicon-on-Insulator (FDSOI) Technologie und arbeitet mit der höchsten bisher bei PMOS (P-Kanal Metal-Oxid Semiconductor) Transistoren erzielbaren Frequenz. Im Vergleich zu bisherigen Lösungen ermöglicht die neue Transistorentwicklung nach Angaben von AMD eine Steigerung der Taktfrequenz um bis zu 30%. Das zweite der heute präsentierten Transistorpaare basiert auf einer Strained-Silicon und AMD Metal-Gate-Technologie und soll gegenüber herkömmlichen Strained-Silicon-Transistoren eine um 20 bis 25% höhere NMOS (N-Kanal Metal-Oxid Semiconductor) Performance bieten.

“Metal-Gates, FDSOI und Strained-Silicon sind Beispiele für wichtige Forschungs- und Entwicklungsarbeiten, die wir im Transistorbereich durchführen. Mit Verbesserungen im zweistelligen Prozentbereich, die wir in unseren Labors erzielt haben, erweitern wir unsere Optionen zur Erzielung unserer ehrgeizigen Leistungsziele beim Übergang auf die Produktion von 65-nm-Strukturen”, so Craig Sander, Vice President of Process Technology Development bei AMD.

AMDs neueste Transistoren nutzen eine selbst entwickelte Form der Transistor-Gate-Technologie. Statt des in den meisten derzeit verfügbaren Transistoren als Gate-Material genutzten Polysiliziums greifen die Forscher von AMD zur Realisierung von “Metal-Gates” innerhalb der Transistoren auf Nickel-Silicide zurück. Transistor-Gates steuern elektrischen Strom durch den Transistor und sind wichtige Elemente von Transistorstrukturen.

AMD greift bei der Realisierung von PMOS-Transistoren auf eine Kombination seiner Metal-Gates- und FDSOI-Technologie zurück. Auf diese Art lassen sich eine signifikant verbesserte Gate-Leitfähigkeit, eine sauber definierte Arbeitsweise sowie eine verbesserte Carrier-Mobilität erzielen, so AMD. Durch die Kombination dieser Maßnahmen hat AMD Transistoren entwickelt, die gegenüber bisherigen PMOS-Transistoren um bis zu 30% schneller sind. Die Leistungsermittlungen basieren auf dem Industriestandard-Benchmark zur Berechnung von Transistor-Schaltfrequenzen. Komplette technische Details der Forschungsarbeiten gibt es bei AMD.

AMDs Kombination seiner Metal-Gates mit Strained-Silicon in einem NMOS-Transistor (N-Kanal Metal-Oxid Semiconductor) zeigte nach eigenen Angaben ähnlich positive Auswirkungen auf die Gate-Leitfähigkeit, die Arbeitsweise und die Carrier-Mobilität. Diese Ergebnisse seien zusätzlich zu den mit Strained-Silicon-Layern erzielten Mobilitätsverbesserungen erreicht worden. Im Vergleich zu herkömmlichen Strained-Silicon-Bausteinen sei zum Zeitpunkt der Tests eine Transistor-Leistungsverbesserung von 20 bis 25% erzielt worden. Komplette technische Details der Forschungsarbeiten gibt es auch hier bei AMD.

“Aus den Forschungsarbeiten von AMD geht auch hervor, dass sich mit Nickel-Silicide oder mit anderen Metal-Gate-Technologien im Laufe der Zeit bedeutende Herausforderungen bei der weiteren Reduzierung von Transistorgeometrien unter 65 nm lösen lassen”, fügt Sander hinzu. “Metal-Gate-Technologien bieten Möglichkeiten zur Reduzierung der effektiven Oxid-Dicke und mildern die strengen Anforderungen, die bei der ehrgeizigen Skalierung von Gate-Oxid-Schichten für Hochleistungs-Transistoren zu erfüllen sind.”

Derzeit werden SOI-Transistoren auf einer dünnen oberen Schicht (Top Layer) aus reinem Silizium aufgebaut, die sich auf einer weiteren Schicht aus isolierendem Oxid befindet. Die Isolationsschicht sorgt dafür, dass elektrischer Strom ausschließlich durch die dünnere obere Schicht des Siliziums fließt und verhindert das Eindringen von Leckströmen in das Chip-Material. Die Schichtdicke des oberen Siliziums hat einen wesentlichen Einfluss auf die Transistorleistung, da durch sie u.a. ein unerwünschtes elektrisches Verhalten, das die Arbeitseffizienz des Transistors beeinträchtigen könnte, minimiert wird. Die Fully-Depleted SOI Technologie ist als Fortschritt gegenüber heute üblichen SOI Technologien zu bewerten und repräsentiert aufgrund ihrer wesentlich dünneren oberen Siliziumschicht die Grundlage zum Aufbau von Transistoren mit höheren Leistungen.

Strained-Silicon-Transistoren bieten laut AMD ein höheres Leistungspotenzial, da bei ihnen Siliziumatome zur Verbesserung der Carrier-Mobilität in eine bestimmte Richtung gezwungen werden (Strained) und dies einen verbesserten elektrischen Stromfluss bewirken soll. Forschungsarbeiten haben ergeben, so AMD, dass sich SOI- und Strained-Silicon-Transistoren zur Erzielung von zusätzlichen Vorteilen mit dem gleichen Fertigungsprozess integrieren lassen.
 
Ah, also zum einen hat Bluerock ja schon eine Pressemitteilung zum Thema gepostet. Zum anderen mach ich mal schlau und versuche eine Antwort zu finden, was es mit SSDOI bei uns auf sich hat, OK?

Jan

Original geschrieben von Registered
Sorry ;) SSDOI = Strained Silicon Directly On Isolator
Es ist also die Verbindung des Strained Silicon, auf das Intel momentan setzt und SOI, welches von AMD genutzt wird

AMD-Ingenieure sollen doch schon seit einiger Zeit bei IBM in Fishkill sein, um dort zusammen daran zu forschen, bzw. es serienreif zu bekommen.

IBMs neueste Prozessorgeneration für Apple nutzt SSDOI, jedoch hat man noch Probleme mit der Yield, bzw. der Ausbeute an guten Cores.
Deshalb wollte ich wissen, ob AMD noch bis zu 65nm wartet, oder es vielleicht schon 2005 bei den DualCores oder Low-Power CPUs zum Einsatz kommt. Denn mit SSDOI könnte man die Spannung bei gleicher Frequenz weiter senken
 
Hallo allerseits,

hier die nachgereichte Antwort von Jan Gütter per eMail:

Ja, AMD entwickelt schon seit geraumer Zeit seine eigene strained SOI (SSOI) Technologie für die Verwendung bei der derzeitigen 130nm und der kommenden 90nm Technologie.

Erste Produkte mit SSOI werden unsere Prozessoren der achten Generation sein - beginnend im dritten Quartal 2004.
 
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