Der nach Unternehmensangaben weltweit erste 512-MBit-Flash-Speicherbaustein in NOR-Architektur wurde heute von FASL LLC, einem Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, vorgestellt. Der Baustein mit der Bezeichnung S29GL512N ist der erste Spansion Flash-Speicher, der in der 130/110-nm-"MirrorBit"-Prozeßtechnologie der zweiten Generation produziert wird und als hochintegrierte Einchip-Lösung in zahlreichen Anwendungen für Embedded- und Wireless-Märkte zum Einsatz kommt. Muster des S29GL512N sind ab sofort verfügbar.
“Vor knapp zwei Monaten haben wir den Markennamen Spansion als dominanten Mitspieler auf dem Markt für Flash-Speicher eingeführt,” so Dr. Bertrand Cambou, Präsident und CEO von FASL LLC. “Die heutige Markteinführung des NOR-Flash-Speichers mit der branchenweit höchsten Integrationsdichte, der in der 130-nm-MirrorBit-Technologie mit 2 Bits pro Zelle produziert wird, unterstreicht die Führungsposition der Spansion Flash-Speicher-Technologie und Innovation.”
“Der Spansion-Baustein S29GL512N wurde entwickelt, um die wichtigsten technischen und kommerziellen Herausforderungen unserer Kunden zu überwinden,” so Ian Williams, FASL LLC Vice President of Worldwide Customer Operations. “Kunden, die in unserer 130/110-nm-MirrorBit-Technologie hergestellte Spansion Flash-Speicher-Lösungen einsetzen, ermöglichen wir bahnbrechende Entwicklungen bei Wireless Handheld-Geräten, in der Automobilelektronik sowie in anderen Bereichen. Unser Ziel besteht darin, Kunden wichtige Wettbewerbsvorteile zu verschaffen und ihnen zu ermöglichen, ihre Produkte mit wertvollen Alleinstellungsmerkmalen auszustatten.”
Bei Spansion Flash-Speichern, die in MirrorBit-Technologie gefertigt werden, ließen sich die Die-Abmessungen signifikant reduzieren und die Anzahl der erforderlichen Wafer-Produktionsschritte verringern, so Spanson. Als Ergebnis des erhöhten Produktionsdurchsatzes ließen sich bei der Herstellung von Spansion Flash-Speicher-Lösungen in MirrorBit-Technologie gegenüber der Multi-Level-Cell-Architektur (MLC) Kostenvorteile bei allen Halbleitergeometrien erzielen. Speziell bei Spansion Flash-Speicher-Lösungen mit Strukturen von 130/110 nm ließen sich im Vergleich zu geplanten 90-nm-MLC-Lösungen oder zur geplanten 65-nm-Single-Bit-Floating-Gate Flash-Technologie ähnliche oder bessere Kostenstrukturen erzielen.
Mit dem Spansion-Flash-Speicher S29GL512N seien Entwickler in der Lage umfangreiche, wirtschaftliche Speicher-Arrays zu realisieren, ohne die Nachteile von alternativen Lösungen mit vergleichbarer Speicherdichte in Kauf nehmen zu müssen. Im Gegensatz zu NAND-Speicher-Lösungen biete der Flash-Speicher S29GL512N ein vertrautes, einfach handhabbares Memory-Mapped Interface, das das Systemdesign vereinfacht und die Time-to-Market verkürzt. Das gängige Interface soll zusätzliche Schnittstellendesigns und die Entwicklung von neuen Software-Algorithmen überflüssig machen. Ferner könne der Entwickler auf den Einsatz von zusätzlichen Schaltungen zum Aufspüren von Fehlern (Error Detection), wie sie bei der NANDTechnologie zur Verhinderung von Bit-Fehlern erforderlich sind, verzichten.
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