Forscher von AMD haben auf der “International Conference on Solid State Devices and Materials” in Tokio Einzelheiten einer neuen Triple-Gate Transistorentwicklung präsentiert, die auf Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) "der nächsten Generation" (O-Ton AMD) sowie auf Metal-Gate-Technologie zurückgreift.
AMDs Transistorentwicklung erzielt gegenüber bisher veröffentlichten Forschungsarbeiten an Multi-Gate-Transistoren nach eigenen Angaben eine um bis zu 50% höhere Leistung und übertrifft damit die von der “International Technology Roadmap for Semiconductors” (ITRS) für 2009 definierten Anforderungen. Aufgrund ihrer Kompatibilität zu gängigen Fertigungsverfahren betrachtet AMD diese Technologie als einen der führenden Anwärter für die Serienproduktion ab 2007.
“Dieses neue Triple-Gate-Transistordesign bringt uns einen Schritt näher zur angestrebten Produktion von Multi-Gate-Transistoren. Es ist genau diese Art der Forschung, die ermöglicht, unseren Kunden gemäß eines ehrgeizigen Zeitplans Lösungen mit noch höheren Leistungen als bisher zur Verfügung zu stellen”, so Craig Sander, AMDs Vice President of Process Technology Development. “Die heute präsentierte Multi-Gate-Transistor-Implementierung ist höchst kompatibel zu gängigen Fertigungstechniken und verbessert unsere Möglichkeiten zur Überführung dieser Technologie in die Serienproduktion.”
Die primären Funktionselemente eines Mikrochip, die Transistoren, sind mikroskopisch kleine Schalter zum Ein- und Ausschalten von elektrischen Strömen, die durch Halbleiter fließen. Eine höhere Leistung bzw. Schaltfrequenz von Transistoren hat einen erheblichen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit von Mikroprozessoren. Bei AMDs neuartiger Transistorentwicklung ist ein ultradünner und in “Fully Depleted” Silicon-on-Insulator-Technologie (FDSOI) realisierter elektrischer Pfad an drei Seiten von Metal-Gates aus Nickel-Silicide umgeben. Diese Kombination aus FDSOITechnologie und Nickel-Silicide Metal-Gates soll für eine “Streckung” des Siliziumgitters innerhalb des elektrischen Pfads sorgen und so die Mobilität der Ladungsträger verbessern. Darüber hinaus erhöht die Multi-Gate-/FDSOI-Struktur laut AMD die effektive Breite des elektrischen Pfads im Transistor und ermöglicht zugleich eine verbesserte Steuerung des Stromflusses. Aufgrund dieser Faktoren lassen sich höhere Durchlassströme, niedrigere Sperrströme und kürzere Schaltvorgänge erzielen und die Gesamtleistung eines Transistors drastisch steigern.
Weitere Einzelheiten zu diesen Forschungsarbeiten sind unter www.amd.com/SSDM beschrieben.
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