Wie FASL LLC, ein Joint Venture zwischen AMD und Fujitsu, heute mitteilte, plant man den weiteren Ausbau seiner Fertigungskapazitäten für Spansion Flash-Speicherbausteine. So soll die Fertigungskapazität für 128-MBit-Flash-Speicherbausteine mit Strukturen von 110 nm bis zum Jahresende 2004 planmäßig auf 80% des derzeitigen Ausstoßes der beiden Flash-Speicher Fabs FAB 25 und JV3 erhöht werden. 110 nm / 128-MBit-Flash-Speicherbausteine sollen dann über 60% des Produktionsausstoßes aller Fabs ausmachen.
“Die Wireless-Lösungen unserer Kunden verlangen hohe Produktionskapazitäten, Flash-Technologien der Spitzenklasse und Leistungen, die dem neuesten Stand der Technik entsprechen,” so Amir Mashkoori, Group Vice President und General Manager der Wireless Business Unit von FASL LLC. “Die für 2004 geplante Erweiterung der Fertigungskapazitäten für Flash-Speicherbausteine in 110-nm-Technologie unterstützt unsere führende Floating-Gate-Technologie sowie speziell die zweite Generation unserer State-of-the-Art 110-nm-MirrorBit-Technologie. Beide Technologien ermöglichen unseren Kunden aus dem Wireless-Umfeld die Realisierung von marktführenden, differenzierten Produkten.”
Die 110-nm-MirrorBit-Technologie wurde als Erweiterung des Spansion Flash-Speicherportfolios entwickelt und dient zur Herstellung eines für 1,8 V ausgelegten 256-MBit-Speicherbausteins für Wireless-Anwendungen. Zu den geplanten Produktmerkmalen gehören laut Herstellerangaben ein Burst-Mode von über 80 MHz, kurze Zugriffszeiten und ein niedriger Energieverbrauch. Erste Muster dieses Bausteins mit der Bezeichnung Spansion S29WS256N sind bereits In-House verfügbar. Die offizielle Bemusterung soll planmäßig in der ersten Jahreshälfte 2004 beginnen.
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