Nach Informationen des Inquirers soll das E0-Stepping insbesondere Verbesserungen des Speichercontrollers mitbringen. So sollen auch mehrere doppelseitige DDR 400 Module nun problemlos auch mit DDR-400 angesprochen werden können. Ob dies allerdings auch mit einem Command-Rate-Timing von 1T funktionieren wird, ist der Meldung nicht zu entnehmen.
SSE3 soll ebenso implementiert sein, wie die bereits im Dezember gemeldete neue SSOI-Fertigungsmethode, die eine noch geringere Leistungsaufnahme ermöglichen soll.
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