Wie The Semiconductor Reporter berichtet, soll in AMDs kommenden Prozessoren mit 90 nm Strukturgröße eine Technologie eingesetzt werden, welche es den Elektronen erlaubt sich mit einer um 10 - 25 % höheren Geschwindigkeit im Leiter zu bewegen. Dadurch sollen sowohl höhere Taktraten als auch eine geringere Wärmeverlustleistung erzielt werden können.
Diese als "Strained Silicon" bezeichnete Technologie erlaubt diese Geschwindigkeitsvorteile aufgrund der "gestreckten" (strained) Atomstruktur des Siliziums, wodurch die frei beweglichen und für das Signal verantwortlichen Elektronen quasi mehr Platz haben.
Wie weiterhin berichtet wird, will AMD diese Technologie vermutlich ebenfalls den in 130 nm gefertigten Prozessoren einführen, eine Stellungnahme seitens AMD blieb bisher jedoch aus.
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