Über die so genannte Strained Silicon Technologie haben wir auf Planet 3DNow! nun schon mehrfach berichtet. Strained-Silicon-Transistoren können die Transistorleistung erhöhen, da bei ihnen Siliziumatome zur Verbesserung der Carrier-Mobilität in eine bestimmte Richtung gezwungen werden (strained) und dies einen verbesserten elektrischen Stromfluss bewirken soll. Heimlich still und leise hat AMD für die neuen Athlon 64 FX-55 Prozessoren Strained Silicon eingeführt (wir berichteten). Interessanterweise handelt es sich dabei noch um einen 130 nm Prozessor.
Nach neuesten Informationen wollen AMD und IBM in dieser Woche gemeinsam eine verbesserte Version des Strained Silicon Verfahrens präsentieren (wir berichteten). Es handelt sich dabei um das so genannte "Dual Stress Liners", kurz DSL. Nach Herstellerangaben soll sich dabei die Performance der Transistoren um bis zu 24 Prozent verbessern, ohne sich dabei negativ auf die Yield-Rate auszuwirken. Im Gegensatz zum bisher verwendeten, schwer zu verarbeitenden Germanium sollen hier andere Materialien verwendet werden, die auf den Transistor-Oberflächen aufgetragen und anschließend passend abgeäzt werden. DSL soll großflächig im ersten Quartal 2005 in den 90 nm Prozessoren Verwendung finden. Offiziell präsentiert werden soll das neue Verfahren in dieser Woche auf dem IEDM 2004 in San Francisco. THX rkinet für den Hinweis
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