In einer gemeinsamen Pressemitteilung haben IBM, Chartered, Infineon und Samsung mit erstem lauffähigem Silizium einen Durchbruch bei der 45nm Low-Power Technologie und ausserdem die Verfügbarkeit von Designbausätzen bekanntgegeben.
"The first working circuits in 45nm technology, targeted at next-generation communication systems, were proven in silicon using the process technology jointly developed by the alliance partners and were produced at the IBM 300-millimeter (mm) fabrication line in East Fishkill, NY, where the joint development team is based."
Ab Ende 2007 sollen die nötigen Gerätschaften für diesen Fertigungsprozeß in den Fertigungsstätten installiert werden.
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