Physiker an der Uni Würzburg haben ein Speicherelement entwickelt, das die Vorteile von magnetischer Speicherung von Daten und der Halbleitertechnik miteinander verbindet.
Die so genannten ferromagnetischen Halbleitern basieren auf Streifen aus Gallium-Mangan-Arsenid, die nur einige Pikometer (10^-12 Meter) breit sind, und im Gegensatz zu herkömmlichen ferromagnetischen Metallen auch in Halbleiter integriert werden können. Dadurch können Daten direkt in Halbleiterelementen gespeichert werden, sodass sehr schnelle Zugriffe möglich sind, und keine permante Stromversorgung benötigt wird.
Da momentan die Versuche noch bei Temperaturen von 270°C unter Null durchgeführt wurden, ist mit einer baldigen Umsetzung dieser Forschungsergebnisse wohl nicht zu rechnen, auch wenn man wohlmöglich ein anderes Element findet, "das bei Raumtemperatur funktioniert“.
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