Wie IBM am Montag bekannt gegeben hat plant man zusammen mit den Partnern AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Freescale, Infineon und Samsung 2009 die schnelle Einführung eines neuen "high-k/metal gate" Verfahrens in 32 nm Strukturbreiten.
IBM hat die neuen 32 nm Transistoren am Beispiel von SRAM-Zellen gezeigt wie sie etwa in On-Die L2-Caches verwendet werden.
Durch das neue Verfahren sollen kleinere Transistoren möglich sein, die schneller schalten, damit höhere Taktfrequenzen ermöglichen und zudem weniger Strom verbrauchen. Erreicht werden soll dies durch die Verwendung eines Metall-Gates ähnlich Intels neuer 45 nm high-k Bauweise, das in den Penryn-Prozessoren eingesetzt wird. Anders als bei Intel soll die IBM-Technologie aber zudem mit der Silicon-on-Insulator (SOI) Technik kombiniert werden, die bereits bei den AMD-Prozessoren seit dem Opteron eingesetzt wird.
"Using high-k/metal gate IBM and its Alliance Partners have been able to successfully shrink the size of a chip by up to 50 percent as compared to the previous technology generation while improving a number of other performance specifications. For example, high-k metal gate chips save about 45 percent total power, an increasingly critical metric in all electronics applications. Together these improvements will help to increase functionality and performance with lower power consumption and improved battery life in mobile devices. For microprocessor applications, this innovation also enables up to 30 percent higher performance as documented in measurements performed by IBM and its Alliance Partners at IBM’s East Fishkill, NY semiconductor manufacturing facility."
Das neue Verfahren soll den Partnern wie AMD in der zweiten Hälfte des Jahres 2009 zur Verfügung stehen.
Diesen Artikel bookmarken oder senden an ...
