Wie der Newsdienst heise.de berichtet, hat Intel heute neue Einzelheiten zur Entwicklung von dreidimensionalen Transistoren, so genannten "Tri-Gate-Transistoren" veröffentlicht. Ähnlich wie die von AMD entwickelten FinFETs, besitzen die neu entwickelten Transistoren drei Gates und sollen gegenüber ihren herkömmlichen zweidimensionalen Vorgängern reduzierte Leistungsverluste aufweisen. Hier ein kurzer Auszug:
Durch den dreidimensionalen Aufbau und die drei Steuerelektroden steht dem Strom beim Fluss durch den Transistor ein größeres Leitervolumen zur Verfügung, was den Widerstand senkt. Bei vergleichbarer Gate-Größe stellen sich um rund 20 Prozent größere Steuerströme als bei Planartransistoren ein, was den Einschaltvorgang beschleunigt und so höhere Taktfrequenzen erlaubt.
Die vollständige, sehr interessante Newsmeldung mit vielen weiterführenden Links findet ihr bei heise.de
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