Wie IBM in einer aktuellen Presseerklärung bekannt gegeben hat, konnten die IBM-Ingenieure einen bipolaren Silizium-Germanium-Transistor mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 350 GHz entwickeln. Der Chip ist laut IBM-Angaben 300% schneller, als aktuelle Silizium-Transistoren und noch einmal 65% als die angekündigte Frequenz, die man mit der neuen Technologie erreichen wollte.
Wie bei Heise zu lesen ist, ist der neue IBM-HBT - anders als bei planaren CMOS-Transistoren auf Siliziumsubstrat - vertikal orientiert:
Durch ein spezielles Profil konnten die IBM-Entwickler die Bauhöhe des Transistors verringern und so die Strompfade verkürzen. Das wiederum war ein wesentlicher Schritt zur Steigerung der Grenzfrequenz des SiGe-HBT.
Der neue SiGe-Transistor soll in Kommunikations-Chip mit bis zu 150 GHz zum Einsatz kommen und das bereits in ca. 2 Jahren. Bei den wesentlich komplexeren x86-Prozessoren werden Taktfrequenzen in dieser Größenordnung noch eine Weile auf sich warten lassen. THX @Alvaman für den Hinweis :)
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