Im Dezember haben AMD und IBM ein neues Strained Silicon Verfahren namens Dual Stress Liner (DSL) vorgestellt (wir berichteten).
In einem aktuellen Artikel bei Technology Review wird unter anderem Nick Kepler, Vizedirektor für Schaltkreis-Entwicklung bei AMD, zu diesem Thema befragt.
"Beim DSL-Verfahren wird ein gestauchter Film über den gesamten Chip gelegt und über den n-Transistoren wieder weggeätzt. Anschließend bringt man einen durchgängigen gedehnten Film auf und ätzt ihn über den p-Transistoren weg.
Mit gestrecktem Silizium können die Hersteller für jeden Chip eine optimale Balance zwischen Energieverbrauch und Geschwindigkeit festlegen. Bei der DSL-Technik kann der Leistungs-Energie-Tradeoff sogar in zwei Stufen optimiert werden"
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