Nachdem der Auftragsfertiger TSMC bereits die Massenfertigung im 40nm-Prozess angekündigt hatte, berichtet der taiwanesische China Economic News Service nun, dass sowohl AMD, als auch NVIDIA zu den ersten Auftraggebern gehören und die ersten Produkte ab dem ersten Quartal 2009 fertigen lassen werden.
TSMC setzt beim 40nm-Prozess auf 193nm Immersionslithografie, Ultra low-k Material und eine Low-Power, Triple-Gate Oxid Option. Für AMD bzw. ATI soll damit der RV870 und für NVIDIA der GT216 produziert werden, allerdings gibt es keine konkreten Starttermine, die auf eine Verfügbarkeit von Grafikkarten auf Basis dieser Chips schließen lassen. Bislang war man immer davon ausgegangen, dass AMD einen Vorsprung bei der Prozesstechnologie besitzt, was AMD auf dem letzten Analyst Day auch mehr oder minder bestätigt hatte.
Interessant wird es auch beim Einsatz der GDDR5-Speicherbausteine. AMD setzte zu Beginn der ATI Radeon HD 4800er Serie auf Speicher von Qimonda. Beim Start der ATI Radeon HD 4870 X2 kam allerdings zumindest teilweise Speicher von Hynix zum Einsatz.
Eben dieser Hersteller hat nun diese Woche in einer Pressemitteilung angekündigt, die Bandbreite der nächsten Generation von GDDR5-Speicher auf 7Gbps zu erhöhen.
In den Kommentaren seines Blogs bestätigt Theo Valich, dass entweder AMD oder NVIDIA diesen Speicher beim RV870 oder GT216/206 einsetzen wird, wobei er spekulativ eher zu AMD bzw. ATI tendiert.
Diesen Artikel bookmarken oder senden an ...
