Erst gestern haben wir ausführlich über den gemeinsamen Vorstoß von AMD und IBM berichtet: den beiden Halbleiterherstellern ist es gelungen, Germanium mit der hauseigenen Silicon-on-Insulator (SOI) Technologie und Strained Silicon sowie 65 nm Strukturen zu kombinieren. Als Folge dieses Aufwands sollen solche Transistoren um bis zu 40 Prozent flotter schalten, als herkömmliche Exemplare und dabei auch noch weniger Energie verbrauchen. Die Technologie soll bereits bei AMDs kommenden 65 nm Prozessoren zum Einsatz kommen, die in der neuen Fab 36 in Dresden vom Band laufen werden.
Doch während seit etwa zwei Jahren die exponenziell steigenden Taktfrequenzen der Vergangenheit anzugehören schienen und sich die Entwickler statt auf Taktfrequenz auf Effizienz (mehr Cache, neue Befehlssätze, integrierte Memory-Controller) und Parallelisierung (Hyper-Threading, Dual-Core) konzentrierten, scheinen nun weitere Taktfrequenzsteigerungen wieder möglich. Nur einen Tag nach AMDs und IBMs Präsentation ihrer Germanium-Prozessoren hat Intel heute in der Ankündigungs-Weltmeisterschaft noch einen drauf gesetzt. Wie das Unternehmen mitteilt soll es unter Verwendung von Enhancement-Mode-Transistoren, die Indiumantimonid (InSb) verwenden, möglich sein, eine um bis zu 50 Prozent höhere Transistorschaltgeschwindigkeit zu erzielen - und das bei nur einem Zehntel der Leistungsaufnahme eines herkömmlichen Transistors. Entwickelt wurde dieser InSb-Transistor zusammen mit QinetiQ. Zum Beweis zeigten die beiden Hersteller einen Prototypen in 85 nm Strukturen. Die extrem niedrige Leistungsaufnahme resultiert auch aus einer deutlich verringerten Betriebsspannung von nur noch 0,5 V.
Allerdings handelt es sich bei diesem Transistortyp aktuell noch nicht um ein seriennahes Modell. Während AMD mit den neuen 65 nm Prozessoren in Germanium-SOI-Stressed Bauweise Ende 2006 auf den Markt kommen möchte, sieht Intel die neue Indiumantimonid-Technologie im Moment noch als Möglichkeit Moore's Law auch langfristig einhalten zu können. Vor 2010 ist damit wohl eher nicht zu rechnen. Allerdings darf natürlich nicht verschwiegen werden, dass Intel bereits Anfang 2006 mit einem 65 nm Prozessor auf den Markt kommen will, der zwar nicht die Kombination Germanium/SOI/Strained-Si aufweist, aber dennoch immerhin fast ein Jahr Vorsprung vor AMDs 65 nm Generation haben wird.
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