Auf der International Interconnect Technology Conference (IITC) hat IBM mit seinen Partnern eine verbesserte Version der low-k Dielektrizitätstechnologie vorgestellt.
Danach wird man durch den Einsatz des low-k Belags mit einem "k Wert" von 2,75 statt einem von 2.9 bis 3.0 Performance Verbesserungen erzielen.
"In a paper, IBM described a new version of its carbon-doped silicon oxide technology, dubbed SiCOH, which is said to have a “k” value” of 2.75. IBM’s proprietary film is devised by using chemical vapor deposition (CVD) tools."
Die Technik stellte IBM zusammen mit AMD, Chartered, Sony und Toshiba vor.
Diesen Artikel bookmarken oder senden an ...
