Innovative Silicon Inc. (ISi), der Hersteller von Z-RAM, hat heute die Verfügbarkeit der zweiten Generation von Z-RAM bekanntgeben. Z-RAM Gen2 soll bei signifikanten Leistungsverbesserungen auch einen wesentlich geringeren Energieverbrauch besitzen und wurde wie die Vorgängergeneration von AMD lizensiert.
"Commented Craig Sander, corporate vice president, technology development at AMD: “We are very excited about Z-RAM Gen2. The combination of density, power, and performance coupled with its ability to work with our standard manufacturing processes makes it an extremely attractive option for use in our future microprocessors.”"
Die Spezifikationen von Z-RAM Gen2 bei Herstellung in 65nm:
Ultra-high density: greater than 5Mbits per mm2 at 65nm, and greater than 10Mbits per mm2 at 45nm (1.4x – 2x denser than eDRAM and 5x-6x denser than SRAM)
High performance random array access: greater than 400MHz (when optimized for performance)
Very low active power consumption: under 10μW/MHz (when optimized for low-power)
Laut der Pressemitteilung wurde Z-RAM Gen2 bereits 90nm Fertigung hergestellt und validiert, Testchips werden momentan in 65nm und 45nm gefertigt.
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