Gestern gab die Firma AMD auf einer Pressekonferenz bekannt, dass sie die Wafer-Abnahme-Verträge mit Globalfoundries neu regeln. Hauptursache dabei dürfte die aktuelle wirtschaftliche Lage im allgemeinen und AMDs prekäre Lage im Besonderen sein.
Wie schlecht es um AMD steht, sieht man an der Tatsache, dass AMD anstatt der ursprünglich geplanten Abnahme von Wafern im Werte von 500 Millionen US-Dollar im jetzigen vierten Quartal 2012 nur noch Wafer im Wert von 115 Millionen US-Dollar abnehmen will. Also nur ein bisschen mehr als ein Fünftel.
Als wäre das nicht schon schlimm genug, muss AMD aufgrund der Verletzung des ursprünglichen Vertrags auch noch Strafzahlungen in Höhe von 320 Millionen US-Dollar leisten. Als weitere Sparmaßnahme wurde außerdem verkündet, dass AMD ab sofort nur noch Globalfoundries' Standard-Herstellungsprozesse nutzen werde, wodurch AMD keine Entwicklungs-Kosten für exklusive Spezialprozesse, wie z.B. den aktuellen 32-nm-SHP-Prozess mit SOI-Technik, anfallen würde.
Dies lässt aber nun auch Raum für Interpretationen. Vorschnelle Leser mögen "Standard" mit Bulk-Prozessen gleichsetzen, jedoch dürfte im Zusammenhang klar sein, dass es nur darum geht, dass AMD alles an Prozessen nutzen kann, was Globalfoundries sowieso schon von sich aus anbietet. Darunter fallen seit Globalfoundries' Fertigungsabkommen mit ST-Microelectronics nun auch FD-SOI-Prozesse in 28 und 20 nm, schließlich heißt es im Abkommen zwischen beiden:
Zitat:
ST plans to open access to its FD-SOI technology to GLOBALFOUNDRIES’s other customers, giving them the possibility to develop products with the most advanced technology available at both the 28nm and 20nm nodes.
Außerdem taucht der 28-nm-FD-SOI-Prozess auch schon auf offiziellen Globalfoundries-Roadmaps auf:
Ob AMD diese Möglichkeit aber wirklich wahr nehmen wird, ist eher fraglich. Seit dem Schreiben unserer letzten News-Meldung (hier) wurden wir darauf hingewiesen, dass Soitecs (das ist der Zulieferbetrieb, der SOI-Wafer an Globalfoundries zur Weiterverarbeitung liefert) letzter Quartalsbericht, der Mitte November veröffentlicht wurde, also noch recht aktuell ist, folgenden Passus enthält:
Zitat:
Soitec's historical major customers for 300 mm wafers face intense competition and have announced their willingness to propose new solutions based on bulk technology
Mit "major customer" kann eigentlich nur AMD gemeint sein. IBM wäre zwar auch noch eine Möglichkeit, allerdings hat Big Blue keine Probleme mit der Konkurrenz, die den Begriff "intense" rechtfertigen würden. AMD dagegen umso mehr.
Bulldozer in Gefahr? Mittelfristig ist damit möglicherweise auch die Bulldozer-Linie in Gefahr. Schließlich bieten TSMC und Globalfoundries normalerweise nur Bulk-Allerweltsprozesse an, keine High-Performance-Prozesse. FD-SOI ist dabei nur eine Ausnahme, zustande gekommen, da sich eine kleine gallische Firma nicht der Bulk-Übermacht beugen wollte und beharrlich an Ihrem SOI-Zaubertrank festhielt. Deshalb gibt es FD-SOI bis 20 nm noch als Alternative. Eine feste Roadmap danach ist aber noch nicht existent und Globalfoundries bereits präsentierter 14xm-Prozess basiert ebenfalls wieder auf bulk, nicht auf SOI. Ob die Franzosen für Weiterentwicklungen noch den finanziellen Atem haben hängt davon ab, wieviel SOI-Wafer sie in Zukunft verkaufen können. Sollte FD-SOI nur ein Nischendasein fristen, wäre dies sicherlich zu wenig, insbesondere in wirtschaftlich schwierigen Zeiten.
Einzig die schon erwähnten IBM-Leute scheinen unbehelligt weiter forschen zu können. Sie beteiligen sich auch nicht am aktuellen Half-Node-Trend und präsentieren in wenigen Tagen auf dem IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) einen sogenannten ETSOI-Prozess in 22nm, der - man höre und staune - auf High-Performance ausgelegt ist. Hier ein kleiner Überblick aus dem vorläufigen Präsentationspapier, samt Elektronenmikroskopaufnahme:
Das Bild zeigt oben eine elektronenmikroskopische Aufnahme und darunter eine energiedispersive Röntgenspektroskopie eines SiGe-Kanal-PFET mit 6 nm breitem Kanal, 22 nm Gatelänge, 100 nm kontaktiertem Gateabstand, High-k/Metal-Gate-Architektur und ISBD(In-Situ Boron Doped)-SiGe-erhöhte Source/Drain.
Zitat:
At the IEDM, a team led by IBM will report on the world’s first high-performance hybrid-channel ETSOI CMOS device. They integrated a PFET having a thin, uniform strained SiGe channel, with an NFET having a Si channel, at 22nm geometries. A novel STI-last (isolation-last) process makes the hybrid architecture possible. The researchers built a ring oscillator circuit to benchmark performance, and the hybrid planar devices enabled the fastest ring oscillator ever reported, with a delay of only 11.2ps/stage at 0.7V, even better than FinFETs.
Das würde hört sich natürlich nach einem standesgemäßen Bulldozer-Prozess an, aber eines dürfte klar: Umsonst wird IBM seinen Prozess auch nicht anbieten. Außerdem tritt man aktuell auch gar nicht als Auftragsfertiger in Erscheinung, dafür ist viel mehr Globalfoundries bekannt.
Fazit Es bleibt spannend, wie es mit AMD weitergehen wird. Eines ist aber klar - beim Herstellungsprozess hat AMD nun das Heft aus der Hand gegeben und muss ab sofort mit der Standard-Kost vorlieb nehmen, welche ihnen von den Auftragsfertigern Globalfoundries oder TSMC vorgesetzt wird. Exklusive Spezialprozesse wird es für AMD keine mehr geben, einziger wager Lichtblick wäre IBM - falls AMD denn ein gutes Angebot machen könnte, wonach es bei AMDs aktuellen Finanzlage aber eher nicht ausschaut.
Diesen Artikel bookmarken oder senden an ...
