Das Problem von heute üblichen DRAM-Speichern (egal ob SDRAM oder DDR-SDRAM) ist seine Trägheit. Zwar können die Chips kostengünstig hergestellt werden, weil für jede Information nur exakt 1 Transistor benötigt wird, dafür ist die Adressierung über Zeilen und Spalten umso aufwendiger. Das Gegenstück zu SDRAM ist das sogenannte SRAM (Statik-RAM), das für jede Information 6 Transistoren benötigt, also wesentlich teuerer zu produzieren ist, dafür aber wesentlich mehr Leistung bringt. SRAM wird meist für schnelle, externe Cachebausteine verwendet. Der Trick bei der von VIA lizenzierten Technologie (nachzulesen bei Heise-Online):
"Beim 1T-SRAM wendet MoSys einen Trick an: Die eigentlichen 1-Transistor-Speicherzellen sind wie DRAM-Zellen aufgebaut. Durch eine besondere Schaltungstechnik können diese Zellen mit sehr hoher Taktfrequenz laufen. Die gesamte Menge an DRAM-Zellen ist dabei in relativ kleine Felder mit jeweils eigener Schreib-/Leselogik aufgeteilt, sodass für die Adressierung nur geringe Wartezeiten nötig sind. Für die bei DRAM nötige Auffrischung des Speicherinhaltes sorgt eine separate Refresh-Logik; ein spezieller Caching-Mechanismus, der einen kleinen Speicherbereich aus "echtem" SRAM nutzt, ermöglicht den pausenlosen Zugriff auf ein 1T-SRAM auch während anderer für den DRAM-Betrieb nötiger Operationen wie Precharging."
Durch diese Technologie wären RAMs mit 400 MHz und extrem kurzer Latenzzeit möglich. Das würde die Speicherwelt revolutionieren. Mal sehn, was daraus wird...
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