Samsung gab bekannt, dass man nun nach der erfolgreichen Validierung durch eigene und Tests von Intel im letzten Monat nun mit der Massenproduktion der neuen Chips für Arbeitsspeicher in 90 nm Strukturgröße beginnen will. Verwendung sollen die neuen Chips unter anderem auf DDR und DDR2 Modulen finden, jeweils mit Taktraten von 400 und 533 MHZ effektiv.
Mit einer maximalen Anzahl von 16 Chips pro Riegel sollen so Module mit einer maximalen Kapazität von 2 GB möglich sein, durch die größere Kapazität der Chips werden wohl auch endlich mehr Single-Sided Module mit 1 GB Kapazität je Module ermöglicht. Dies wird performancehungrige User sicherlich freuen, aktuelle Prozessoren von AMD beziehungsweise deren integrierte Speichercontroller haben durchaus immernoch so ihre Probleme mit der Verwaltung von vier Bänken, was momentan eine Taktreduzierung und entschärfte Latenzen nach sich zieht, wenn man denn unbedingt einen Speicherausbau von 2 GB im System fahren möchte. Weiterhin sollen die neuen 90 nm Chips besonders hitzebeständig und bedingt durch die feineren Strukturen weniger stromhungrig sein. Samsung möchte durch eine Produktionserhöhung auf 1 Million Einheiten pro Monat zunächst den Servermarkt bedienen, die Vorteile dieses technologischen Fortschritts lassen sich aber ebenso sehr gut auf mobile Endgeräte und Perfomance-Systeme übertragen, je nach Nachfrage und Bedarf.
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