Nachdem die Z-RAM-Technologie bereits Ende 2005 von AMD lizensiert wurde (wir berichteten), plant nun Hynix den produktiven Einsatz und hat ebenfalls eine Lizenz bei Innovative Silicon Inc. (ISI) erworben.
Hynix will mit Z-RAM neue Speichermodule entwickeln, die statt der klassischen Kombination von Transistoren und Kondensatoren nur auf Transistoren setzen, was durch die SOI-Technologie möglich wird.
"Z-RAMs one transistor memory bitcell is made possible by harnessing the floating body effect (FBE) found in circuits fabricated using SOI (silicon-on-insulator) wafers.
Moreover, since Z-RAM takes advantage of a naturally-occurring SOI effect, Z-RAM does not require exotic process changes to build capacitors or other complex structures within the memory bitcell."
Entsprechende Module sollen innerhalb der nächsten drei Jahre marktreif sein.
Diesen Artikel bookmarken oder senden an ...
