Leckströme... Wie enstehen diese?

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SuperCow

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• 24.04.2004

• #1

Wie entstehen Leckströme? Durch was werden diese denn überhaupt verursacht? Hoffe ihr könnt mir weiterhelfen. Entstehen dise dadurch das Kupfer bzw. Aluminium in das Silizium rein diffundiert?


thx


SuperCow

 

T

Texes

Guest

• 24.04.2004

• #2

Moin, ich hab davon partou keine Ahnung, aber google spuckte eine riesige Menge an Seiten, zum Thema aus, vielleicht versuchst Du es mal

greetz Texes

 

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• 24.04.2004

• #3

Meine Vermutung ist ja (Dank Google), dass Kupfer ind das Silizium reindiffundiert und dadurch die Halbleitereigenschaften des Siliziums verloren gehen. Oder rede ich völligen Quatsch?

 

mtb][sledgehammer

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• 24.04.2004

• #4

Naja, bei wenigen Atomlagen Isolatordicke, ist wohl die Isolationseigenschaft nicht mehr die beste. Insbesondere da der Isolator einen Halbleiter enthält. Ist wohl so ählich, wie wenn man an eine Hausverkabelung ein paar tausend Volt anschließen würde. Ich meine 1 V ist schon eine gewaltige Spannung vor ein paar Nanometer Isolationsschicht.

 

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• 24.04.2004

• #5

Ja, sowas habe ich auch chon gefunden.

DAnke

 

QuaKKerJacK

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• 24.04.2004

• #6

schau mal hier

http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php3?s=&threadid=129140&highlight=leckstr%F6me

da sind sehr viele solche Dinge erklärt.

cu QJ

 

Reisi

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• 24.04.2004

• #7

Leckströme tretten hauptsächlich im Gateoxid auf. Das ist die Isolationsschicht zwischen dem Gate uund dem Kanal des FETs. Und die ist bei den heutigen Strukturen normalerweise keine 10 nm mehr dick. Da ists klar, dass da einfach ein paar Elektornen durchdifundieren

 

NemesisTN

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• 24.04.2004

• #8

Ströme im HL sind abhängig von der Spannung (logisch) und der Temperatur.
Je höher diese ist, desto größer kann auch der Stromfluss sein.
(Höhere Temperatur -> höhere Energie -> höherer Strom)
Grob ausgedrückt.
Durch eben diese Energie bekommen manche Ladungsträger im HL eine höhere Energie als nötig und durchschlagen die Isolationsschicht.
Dieses sind dann die Leckströme.