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Auf der International Interconnect Technology Conference (IITC) hat IBM mit seinen Partnern eine verbesserte Version der low-k Dielektrizitätstechnologie vorgestellt.
Danach wird man durch den Einsatz des low-k Belags mit einem "k Wert" von 2,75 statt einem von 2.9 bis 3.0 Performance Verbesserungen erzielen.
<ul><i>"In a paper, IBM described a new version of its carbon-doped silicon oxide technology, dubbed SiCOH, which is said to have a “k” value” of 2.75. IBM’s proprietary film is devised by using chemical vapor deposition (CVD) tools."</i></ul>
Die Technik stellte IBM zusammen mit AMD, Chartered, Sony und Toshiba vor.
<b>Quelle:</b> <a href="http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=188701793" target="b">IBM enhances low-k for 65-nm designs</a>
@ pipin
Die Technik stellte IBM zusammen mit ..., IBM, ... vor
@ aylano
So wie ich das verstanden habe, ist der k-Wert von 2.9 - 3.0 auf 2.75 gesunken
@ Topic
Kann man eigentlich davon ausgehen, dass dieses neue Verfahren/Material (hab den Artikel noch net gelesen) schon beim Start der 65nm-Produktion von AMD eingesetzt wird?
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@ Topic
Kann man eigentlich davon ausgehen, dass dieses neue Verfahren/Material (hab den Artikel noch net gelesen) schon beim Start der 65nm-Produktion von AMD eingesetzt wird?
Anfangs nicht. Letztens gabs doch auch mal passende Präsentationsfolien dazu; danach ist der Plan, den Schritt zur nächstkleineren Strukturgröße erstmal einzeln zu machen (je weniger man auf einmal ändert, desto leichter findet man irgendwelche Fehler) und dann in einer (oder mehreren) weiteren Stufe diverse Verbesserungen in dieser Strukturgröße umzusetzen. So stehts jedenfalls auch im EETimes-Artikel.