Maximal Vcore???
- Ersteller kar.98
- Erstellt am
Hi,
hab die FAQ gelesen, dort steht das ein 2400 XP maximal mit 1.75 Vcore laufen sollte.
Bezieht sich dieser Wert auf Lukü oder geht mit Wakü mehr?
Wollte meinen 2400 ocen aber nicht bis zum Limit.
Da der Rechner oft Tag und Nacht durchläuft sollte er schon etwas länger halten.
Wie hoch kann ich mit Vcore/Cputakt also gehen?
P.S. Hab ne Wakü
hab die FAQ gelesen, dort steht das ein 2400 XP maximal mit 1.75 Vcore laufen sollte.
Bezieht sich dieser Wert auf Lukü oder geht mit Wakü mehr?
Wollte meinen 2400 ocen aber nicht bis zum Limit.
Da der Rechner oft Tag und Nacht durchläuft sollte er schon etwas länger halten.
Wie hoch kann ich mit Vcore/Cputakt also gehen?
P.S. Hab ne Wakü
intern läuft der prozessor immer gleich heiß ob nun stickstoff/wasserkühlung oder luftkühlung, nur die außentemperatur ändert sich. wenn du auchmal die suchfunktion nehmen würdest, würdest du erkennen, dass es ganz viele threads dazu gibt, und dass der athlon xp bis 2.0 vcor in ordnung geht(von amd bestätigt)
MikeP
Fleet Captain Special
"intern ist der DIE immer gleich heiß" 
?
kann ich net glauben... da auch nen DIE ne spezifische wärmeleitung hat....
und ne kältere oberfläche.... sorgt demnach auch für ne kältere innentemp.
auch wenn der unterschied nur marginal ist.....
?kann ich net glauben... da auch nen DIE ne spezifische wärmeleitung hat....
und ne kältere oberfläche.... sorgt demnach auch für ne kältere innentemp.
auch wenn der unterschied nur marginal ist.....
eiskalt
Vice Admiral Special
mit luftkühlung würde ich für den dauerbetrieb nicht über 1.775Vcore gehen, 1.8Vcore wären auch noch vertretbar, wenn die gehäusekkühlung gut ist.
bei ner guten WaKü kannst du auch 2Vcore geben
bei ner guten WaKü kannst du auch 2Vcore geben
BlackBirdSR
Commodore Special
Original geschrieben von MikeP
"intern ist der DIE immer gleich heiß"
kann ich net glauben... da auch nen DIE ne spezifische wärmeleitung hat....
und ne kältere oberfläche.... sorgt demnach auch für ne kältere innentemp.
auch wenn der unterschied nur marginal ist.....
Da moderne Chips im Flipchip Format kommen, sind die aktiven Bereiche nicht sichtbar und kopfüber im Package vergraben.
Die thermische Verlustleistung muss also über das Package und das DIE Substrat fließen.
Da kannst du auch mit Wasserkühlung die Temperatur am entstehungsort nicht schnell genug abführen um eine Erhöhung der Elektronenenergien zu verhindern.
Dazu kommen die höheren Stromdichten die sowieso auftreten egal welche Kühlung.
Und die Elektromigration freut sich wieder.
MikeP
Fleet Captain Special
wir haben aber ne definierte wärmeübertragung von ner bestimmten leistung welche mit ner bestimmten temp änderung verbunden ist....
sagen wir mal 1K/W ist natürlich etwas viel....
wenn wir nun von ner abwärme von 50 W ausgehen haben wir auf dem chip ne temp von 75°C bei 25 grad raumtemp..... bei 0 grad..... (prometeia) nur 50°C
rein theoretisch........
da ist es egal wo die wärme durch muss.... und wie lang der weg ist...
weil das bleibt ja konstant während die andere seite (abführende seite) kälter wird...
als bleibt auch die seite wo abgeführt wird kälter....
was das mit der elektro migration zu tun hat ist mir schleierhaft....
geht hier ja nur um temp. net um haltbarkeit....
sicher verstärkt das die migration.... aber der DIE wird kälter....
sicer nich um die theoretischen werte.... aber er wird kälter...
sagen wir mal 1K/W ist natürlich etwas viel....
wenn wir nun von ner abwärme von 50 W ausgehen haben wir auf dem chip ne temp von 75°C bei 25 grad raumtemp..... bei 0 grad..... (prometeia) nur 50°C
rein theoretisch........
da ist es egal wo die wärme durch muss.... und wie lang der weg ist...
weil das bleibt ja konstant während die andere seite (abführende seite) kälter wird...
als bleibt auch die seite wo abgeführt wird kälter....
was das mit der elektro migration zu tun hat ist mir schleierhaft....
geht hier ja nur um temp. net um haltbarkeit....
sicher verstärkt das die migration.... aber der DIE wird kälter....
sicer nich um die theoretischen werte.... aber er wird kälter...
Eh Leute könnt ihr auch klartext reden?
Wollte wissen wieviel Vcore ich maximal gehen kann "sicher" ohne irgendetwas zu stark zu beanspruchen?
Über Abwärme oder ähnliches wollte ich nichts wissen.
Hab momentan 48° Volllast.
Kann mir jetzt mal einer ne normale Antwort geben?
Danke
?Wollte wissen wieviel Vcore ich maximal gehen kann "sicher" ohne irgendetwas zu stark zu beanspruchen?
Über Abwärme oder ähnliches wollte ich nichts wissen.
Hab momentan 48° Volllast.
Kann mir jetzt mal einer ne normale Antwort geben?
Danke
AMD sagt selber DC Max/Min +/- 50mV
DC Max +150 mV
DC Min -100 mV
PDF 25175 Kap. 8.8 Tab. 13
Und nun zur Elektromigration:
Der Text sollte die Probleme aufzeigen, die das Hochtakten mit sich bringen und zwar aus der Sicht der geschundenen CPU.
Zugleich werden die Maßnahmen der Hersteller genannt, um diese Probleme zu minimieren.
Zitatklau
Original geschrieben von Bokill
Kleiner Überblick zu den Problemen heutiger CPU’s
Silicium/Halbleiter
Der Schmelzpunkt von Silicium liegt bei Normdruck bei etwa 1410°c. Halbleiter sind um so besser elektrisch leitend je wärmer das System wird.
Das Problem liegt daher woanders, die leitenden Bahnen sind Bereiche im Reinstsilicium in denen Fremdatome zugefügt wurden, diese sind deutlich besser leitend, [/i] zusätzlich sind als Metalle Wolfram Aluminium und Kupfer eingesetzt, auch um die Verbindungen zwischen den einzelnen Schichten des Dies zu kontakten.
Irrwege und Kaputt !
Dieser Materialmix muss 100% funktionieren , sobald durch thermische Vorgänge, die Elektronen/Elektronenlöcher nicht nur die vorgeschriebenen Wege benutzen, sondern ihre eigenen Abkürzungen wählen (Tunneleffekte), oder durch Überbeanspruchung die "Straßen" zerstört werden (Elektromigration{ Abtrag von Material durch "Heiße Elektronen"}), funktioniert die CPU zwar irgendwie, aber man kann sich ihrer Ergebnisse nicht sicher sein. Dummerweise sind diese Effekte teilweise (Elektromigration) irreversibel, die Folge ist dass deine CPU kaputt ist, in anderen Worten: Exitus, über den Jordan, Schrott, so dass du einen hübschen Schlüsselanhänger mehr hast, oder auch ein heimtückisches eBay-Objekt.
Nachtrag Elektrische Einflüsse
Eine CPU ist ein sehr komplexer Schaltkreis, selbst bei normaler Umgebungstemperatur sind durch Stromfluss bedingte Sekundärströme zu beachten. Jeder fließende Strom produziert Elektromagnetische Felder und Wärme (gilt für alle normalen Leiter). Der Transformator ist in diesem Falle durchaus vergleichbar mit einer CPU. Bei einer CPU ist dies jedoch kein konstant fließender Strom, sondern ist ein "quasi Chaotisch" fließender Strom, mit der Folge, dass Leiterbahnen wechselweise ihren Widerstand ändern, ohne dass alles 100% vorberechnet werden kann! Die Leiterbahnen sind auch nicht so schön regelmäßig im Raum aufgebaut, wie die klassische Spule eines Transformators im Schulversuch, dies erhöht die „Unvorherberechenbarkeit“ eines stromdurchflossenen komplexen Körpers.
Nachtrag: Simulation der elektrischen Wechselwirkungen
In der Vergangenheit waren elektrische Wechselwirkungen einer CPU eher ein 2-dimensionales Problem. Mit zunehmender Stapelhöhe der CPU“ Leiterbahnenkarten“ (der K6 hatte ein 5-Schicht Design – Die Athlons entwickelten sich von 6 Schichten zu bis jetzt 9 Schichten {Barton}) wächst sich das Problem, der Berechnung von Elektrischen-Wechselwirkungen, zu einem 3-dimensionalem Problem aus. Alle CPU-Bäcker gestalten ihre CPU’s immer komplexer.
Basierend auf Erfahrung und Simulationen werden CPU- Designs gebacken, diese Erfahrung ist in seinem Wert daher gar nicht hoch genug einzuschätzen. Nicht ohne Grund werden CPU-Designer aus dem Hause Alpha mit Kusshand genommen, da diese schon die verschiedensten Konzepte durchgedacht haben und auch Backen durften, ohne vom Marketing ausgebremst zu werden!
Nachtrag SOI, Maßnahmen gegen Tunneleffekte, Leckströme:
Dank an @Seemann aus „AMD XP 3200+ Enttäuschung?“
... Je kleiner die Strukturbreiten, desto größer die Leckströme. Der Palomino war ja noch in 0,18 µm gefertigt, die Nachfolger dann in 0,13 µm. Das erklärt die höheren Leckströme im TBred und im Barton. Zum Glück hat AMD mit SOI da eine mächtige Gegenmaßnahme in Petto!
...Dadurch, dass der gleiche Strom (trotz niedrigerer Spannung) durch eine kleinere "Leiterbahn" fließen muss, steigt der "Druck" auf die (auch kleiner gewordene) Isolierung (die jetzt auch nur noch 10 bis 20 Atomlagen dick ist) an, sodass "aus Versehen" doch mal das ein oder andere Elektron dahin wandert wo es nicht hin soll...
Antitunnelkommando SOI
Ein in jüngster Zeit aufgetretenes Phänomen sind die Leckströme, diese waren zwar immer schon vorhanden, waren aber nachrangig. @Seemann bemerkt aber ganz richtig, dass mit Umstellung auf die 0,13 µm Fertigungstechnologie bisher alle CPU Bäcker massive Probleme hatten. IBM, Motorola und AMD versuchten schon frühzeitig mit einem gleichen Konzept dagegen zusteuern, SOI war geboren (Silicon- on- Insulator). „SOI nutzt eine vergrabene Oxid-Schicht für die vollständige dielektrische Isolation jedes einzelnen Bauelements einer integrierten Schaltung“*. Herkömmlich war bisher, dass die Leiterbahnen und Transistoren, Bauteile direkt auf dem Silizium aufgebracht waren. Das Siliziumoxid war lediglich die Trennschicht zwischen den Leiterbahnebenen. Wenn das Verfahren im Griff ist geben alle Verfechter des Verfahrens eine Leistungssteigerung bis zu 30% an.
SOI verbessert die Isolatoreigenschaften durch spezielle Oxidschichten, ferner werden andere Isolatoren verwendet, der Sammelbegriff für diese spezielle „Stoffgruppe“ ist Dielektrika. Durch geschickte Kombination kann den Leckströmen und den Tunneleffekten so begegnet werden.
Leckströme sind ein spezieller Sonderfall von Tunneleffekten , dies betrifft genau die Stelle eines Transistors, wo gezielt der Elektronenfluss gesperrt oder durchgelassen wird.).
Zur Zeit geht man davon aus, dass das echte Minimum für eine Sperrschicht 3-4 Atomlagen sind.
Dahinter liegt der Phänomen-Zoo mit den Quanteneffekten, die zum Teil Phänomene zeigt, die dem normalen Verstand zu wieder laufen und auch mit Mitteln der Klassischen Physik nicht mehr erklärbar sind.
Link zu SOI:
* http://www.tecchannel.de/special/1040/
War im Forum CPU's
unter: warum sind amds so viel wärmer?
Auch gut:
1. Elektromigration durch hohen Takt/Temps?
2. CPU-Spezialisten sind gefragt
3. Her(t)zinfarkt - oder was ist Elektromigration?
Zu 3. Link dazu:
http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php3?s=&threadid=79096
3 verweist auf folgende Links:
a. http://www.hardtecs4u.com/reviews/2003/snd_syndrom/
b. http://www.tweakpc.de/berichte/emig/emig.htm
DC Max +150 mV
DC Min -100 mV
PDF 25175 Kap. 8.8 Tab. 13
Und nun zur Elektromigration:
Der Text sollte die Probleme aufzeigen, die das Hochtakten mit sich bringen und zwar aus der Sicht der geschundenen CPU.
Zugleich werden die Maßnahmen der Hersteller genannt, um diese Probleme zu minimieren.
Zitatklau
Original geschrieben von Bokill
Kleiner Überblick zu den Problemen heutiger CPU’s
Silicium/Halbleiter
Der Schmelzpunkt von Silicium liegt bei Normdruck bei etwa 1410°c. Halbleiter sind um so besser elektrisch leitend je wärmer das System wird.
Das Problem liegt daher woanders, die leitenden Bahnen sind Bereiche im Reinstsilicium in denen Fremdatome zugefügt wurden, diese sind deutlich besser leitend, [/i] zusätzlich sind als Metalle Wolfram Aluminium und Kupfer eingesetzt, auch um die Verbindungen zwischen den einzelnen Schichten des Dies zu kontakten.
Irrwege und Kaputt !
Dieser Materialmix muss 100% funktionieren , sobald durch thermische Vorgänge, die Elektronen/Elektronenlöcher nicht nur die vorgeschriebenen Wege benutzen, sondern ihre eigenen Abkürzungen wählen (Tunneleffekte), oder durch Überbeanspruchung die "Straßen" zerstört werden (Elektromigration{ Abtrag von Material durch "Heiße Elektronen"}), funktioniert die CPU zwar irgendwie, aber man kann sich ihrer Ergebnisse nicht sicher sein. Dummerweise sind diese Effekte teilweise (Elektromigration) irreversibel, die Folge ist dass deine CPU kaputt ist, in anderen Worten: Exitus, über den Jordan, Schrott, so dass du einen hübschen Schlüsselanhänger mehr hast, oder auch ein heimtückisches eBay-Objekt.
Nachtrag Elektrische Einflüsse
Eine CPU ist ein sehr komplexer Schaltkreis, selbst bei normaler Umgebungstemperatur sind durch Stromfluss bedingte Sekundärströme zu beachten. Jeder fließende Strom produziert Elektromagnetische Felder und Wärme (gilt für alle normalen Leiter). Der Transformator ist in diesem Falle durchaus vergleichbar mit einer CPU. Bei einer CPU ist dies jedoch kein konstant fließender Strom, sondern ist ein "quasi Chaotisch" fließender Strom, mit der Folge, dass Leiterbahnen wechselweise ihren Widerstand ändern, ohne dass alles 100% vorberechnet werden kann! Die Leiterbahnen sind auch nicht so schön regelmäßig im Raum aufgebaut, wie die klassische Spule eines Transformators im Schulversuch, dies erhöht die „Unvorherberechenbarkeit“ eines stromdurchflossenen komplexen Körpers.
Nachtrag: Simulation der elektrischen Wechselwirkungen
In der Vergangenheit waren elektrische Wechselwirkungen einer CPU eher ein 2-dimensionales Problem. Mit zunehmender Stapelhöhe der CPU“ Leiterbahnenkarten“ (der K6 hatte ein 5-Schicht Design – Die Athlons entwickelten sich von 6 Schichten zu bis jetzt 9 Schichten {Barton}) wächst sich das Problem, der Berechnung von Elektrischen-Wechselwirkungen, zu einem 3-dimensionalem Problem aus. Alle CPU-Bäcker gestalten ihre CPU’s immer komplexer.
Basierend auf Erfahrung und Simulationen werden CPU- Designs gebacken, diese Erfahrung ist in seinem Wert daher gar nicht hoch genug einzuschätzen. Nicht ohne Grund werden CPU-Designer aus dem Hause Alpha mit Kusshand genommen, da diese schon die verschiedensten Konzepte durchgedacht haben und auch Backen durften, ohne vom Marketing ausgebremst zu werden!
Nachtrag SOI, Maßnahmen gegen Tunneleffekte, Leckströme:
Dank an @Seemann aus „AMD XP 3200+ Enttäuschung?“
... Je kleiner die Strukturbreiten, desto größer die Leckströme. Der Palomino war ja noch in 0,18 µm gefertigt, die Nachfolger dann in 0,13 µm. Das erklärt die höheren Leckströme im TBred und im Barton. Zum Glück hat AMD mit SOI da eine mächtige Gegenmaßnahme in Petto!
...Dadurch, dass der gleiche Strom (trotz niedrigerer Spannung) durch eine kleinere "Leiterbahn" fließen muss, steigt der "Druck" auf die (auch kleiner gewordene) Isolierung (die jetzt auch nur noch 10 bis 20 Atomlagen dick ist) an, sodass "aus Versehen" doch mal das ein oder andere Elektron dahin wandert wo es nicht hin soll...
Antitunnelkommando SOI
Ein in jüngster Zeit aufgetretenes Phänomen sind die Leckströme, diese waren zwar immer schon vorhanden, waren aber nachrangig. @Seemann bemerkt aber ganz richtig, dass mit Umstellung auf die 0,13 µm Fertigungstechnologie bisher alle CPU Bäcker massive Probleme hatten. IBM, Motorola und AMD versuchten schon frühzeitig mit einem gleichen Konzept dagegen zusteuern, SOI war geboren (Silicon- on- Insulator). „SOI nutzt eine vergrabene Oxid-Schicht für die vollständige dielektrische Isolation jedes einzelnen Bauelements einer integrierten Schaltung“*. Herkömmlich war bisher, dass die Leiterbahnen und Transistoren, Bauteile direkt auf dem Silizium aufgebracht waren. Das Siliziumoxid war lediglich die Trennschicht zwischen den Leiterbahnebenen. Wenn das Verfahren im Griff ist geben alle Verfechter des Verfahrens eine Leistungssteigerung bis zu 30% an.
SOI verbessert die Isolatoreigenschaften durch spezielle Oxidschichten, ferner werden andere Isolatoren verwendet, der Sammelbegriff für diese spezielle „Stoffgruppe“ ist Dielektrika. Durch geschickte Kombination kann den Leckströmen und den Tunneleffekten so begegnet werden.
Leckströme sind ein spezieller Sonderfall von Tunneleffekten , dies betrifft genau die Stelle eines Transistors, wo gezielt der Elektronenfluss gesperrt oder durchgelassen wird.).
Zur Zeit geht man davon aus, dass das echte Minimum für eine Sperrschicht 3-4 Atomlagen sind.
Dahinter liegt der Phänomen-Zoo mit den Quanteneffekten, die zum Teil Phänomene zeigt, die dem normalen Verstand zu wieder laufen und auch mit Mitteln der Klassischen Physik nicht mehr erklärbar sind.
Link zu SOI:
* http://www.tecchannel.de/special/1040/
War im Forum CPU's
unter: warum sind amds so viel wärmer?
Auch gut:
1. Elektromigration durch hohen Takt/Temps?
2. CPU-Spezialisten sind gefragt
3. Her(t)zinfarkt - oder was ist Elektromigration?
Zu 3. Link dazu:
http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php3?s=&threadid=79096
3 verweist auf folgende Links:
a. http://www.hardtecs4u.com/reviews/2003/snd_syndrom/
b. http://www.tweakpc.de/berichte/emig/emig.htm
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MikeP
Fleet Captain Special
mir ging es nur darum das crazytype gesagt hat das der proz intern immer gleich heiß ist..... was so nicht stimmt.... das durch ne vcore erhöhung die migration verstärkt wird ist ganz klar..... aber darauf bin und wollte ich nicht eingehen
Son-Havoc
Vice Admiral Special
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topic ist ja nun beantwortet ... also
@bokill
hab nur die hälfte verstanden (wenn überhaupt
) aber soweit ich das sehe wird die elektronenmigration durch alles verstärkt was den "druck" auf die leiterbahnen noch erhöht. also spannung, takt und auch die tempratur. ergo müsste man sie ja durch extreme kühlmethoden doch recht gut eindämmen können oder nicht ??
@bokill
hab nur die hälfte verstanden (wenn überhaupt
) aber soweit ich das sehe wird die elektronenmigration durch alles verstärkt was den "druck" auf die leiterbahnen noch erhöht. also spannung, takt und auch die tempratur. ergo müsste man sie ja durch extreme kühlmethoden doch recht gut eindämmen können oder nicht ??Was die Wärme angeht ja, aber die schlicht vereinfacht heissen Elektronen sind ja nicht heiss, sondern besonders energiereich.
Die sind sehr fix und Lösen die Atomrümpfe aus dem Gitterverband. Kühlung verringert zwar die Gitterschwingungen, aber gegen den Einzelangriff eines "amockgelaufenen" Elektrons kann dies nicht helfen.
Bei erhöhter Spannung sind auch mehr von den "Kamikazeelektronen" unterwegs.
Dummerweise ist der Materialabtrag umgekehrt zur Stromrichtung.
Das bedeutet dort wo ein "Haufen" abgetragenes Material "liegt" ist noch lange nicht der Grund zum Abtrag zu suchen.
Der eine Artikel geht da Klasse darauf ein.
Die sind sehr fix und Lösen die Atomrümpfe aus dem Gitterverband. Kühlung verringert zwar die Gitterschwingungen, aber gegen den Einzelangriff eines "amockgelaufenen" Elektrons kann dies nicht helfen.
Bei erhöhter Spannung sind auch mehr von den "Kamikazeelektronen" unterwegs.
Dummerweise ist der Materialabtrag umgekehrt zur Stromrichtung.
Das bedeutet dort wo ein "Haufen" abgetragenes Material "liegt" ist noch lange nicht der Grund zum Abtrag zu suchen.
Der eine Artikel geht da Klasse darauf ein.
SKYNET
Grand Admiral Special
AMD auf T-bred kernen basieren(und barton) sind von AMD selber bis 2.00V spezifiziert ! 8) also bis dahin alles im grünen bereich !
grund das AMD VIEL mehr V-core abkann ist das die fertigung hochwertiger ist als bei intel, AMD nimmt kupfer intel ALU zum "aufdampfen"
grund das AMD VIEL mehr V-core abkann ist das die fertigung hochwertiger ist als bei intel, AMD nimmt kupfer intel ALU zum "aufdampfen"
BlackBirdSR
Commodore Special
bei 0K bestizen alle Teilchen noch Schwingung.
Ausserdem bekommen die Elektronen so oder so die gleiche Energie.. ob du nun eine Wasserkühlung hast oder nicht.
Die Wärme mag nach aussen hin schneller abtransportiert werden, aber es entsteht genausoviel Energie, und da die Leiterbahnen durch die Wasserkühlung am anderen Ende des Substrats nicht gekühlt werden spielt es am Ende keine Rolle ob die Oberflächentemperatur 55° oder 41°C ist.
man kann nicht mal schnell 15% mehr VCore geben weil man besser kühlt.
Schon mal was vom Phänomen Supraleitung gehört?
Gibs 0°K?
Wie ändert sich die Leitfähigkeit von metallischen Leitern, bei zunehmnder Temperatur?
Wie ändert sich die Leitfähigkeit von Halbleitern, bei zunehmnder Temperatur?
Verbessert: Halbmetalle war falsch, richtig ist Halbleiter!
sorry
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Son-Havoc
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wie unhöflich
auf ne frage mit gegenfragen zu antworten 
1: ja
2: nein
3: wird schlechter
4: kA
![:]](https://www.planet3dnow.de/vbulletin/images/smilies/rolleyes.gif "Augen rollen (sarkastisch) :]")
ging mir auch gar net um 0K und @blackbird ich rede net mehr von ner wakü sondern von ner extremen kühlung ... mich interessierte nur ob man prinzipiell die elektronenmigration durch extrem geringe temps herabsetzten/verringern kann.
Zuletzt bearbeitet:
Na ja war nicht die feine Art gebe ich zu, aber so konntest du dein Bestes geben
Die Frage 3 beantwortest du ja selber korrekt, die Elektronen werden bei "Kälte" so nicht langsamer, man erklärt sich das vereinfacht dadurch, dass die Elektronen weniger behindert werden. Die Behinderung liegt in den "Gitterschwingungen" je kühler desto weniger Schwinungen, desto weniger Behinderung für die Elektronen.
Bei Halbleitern ist die Leitfähigkeit bei Raumtemperatur sehr schlecht, wenn sie erhitzt werden, "schwitzen" die "Bindungen" gleichsam Elektronen heraus.
Und "freie" Elektronen in einem Medium bewirken Leitfähigkeit, außerdem entstehen durch das "Ausschwitzen" auch "Elektronenlöcher", auch diese erhöhen die Leitfähigkeit eines Halbleiters.
"" sind unwissenschaftliche Begriffe, machen dies aber ein wenig verständlicher.
Die Frage 3 beantwortest du ja selber korrekt, die Elektronen werden bei "Kälte" so nicht langsamer, man erklärt sich das vereinfacht dadurch, dass die Elektronen weniger behindert werden. Die Behinderung liegt in den "Gitterschwingungen" je kühler desto weniger Schwinungen, desto weniger Behinderung für die Elektronen.
Bei Halbleitern ist die Leitfähigkeit bei Raumtemperatur sehr schlecht, wenn sie erhitzt werden, "schwitzen" die "Bindungen" gleichsam Elektronen heraus.
Und "freie" Elektronen in einem Medium bewirken Leitfähigkeit, außerdem entstehen durch das "Ausschwitzen" auch "Elektronenlöcher", auch diese erhöhen die Leitfähigkeit eines Halbleiters.
"" sind unwissenschaftliche Begriffe, machen dies aber ein wenig verständlicher.
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Son-Havoc
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Original geschrieben von Bokill
Na ja war nicht die feine Art gebe ich zu, aber so konntest du dein Bestes geben
Die Frage 3 beantwortest du ja selber korrekt, die Elektronen werden bei "Kälte" so nicht langsamer, man erklärt sich das vereinfacht dadurch, dass die Elektronen weniger behindert werden. Die Behinderung liegt in den "Gitterschwingungen" je kühler desto weniger Schwinungen, desto weniger Behinderung für die Elektronen.
Bei Halbleitern ist die Leitfähigkeut bei Raumtemperatur sehr schlecht, wenn sie erhitzt werden, "schwitzen" gleichsam die "Bindungen" Elektronen heraus.
Und freie Elektronen in einem Medium bewirken Leitfähigkeit, außerdem entstehen durch das "Ausschwitzen" auch "Elektronenlöcher", auch diese erhöhen die Leitfähigkeit eines Halbleiters.
"" sind unwissenschaftliche Begriffe, machen dies aber ein wenig verständlicher.
lauter brimsbrums drum herum aber ich glaube rauszulesen, dass die elektronenmigration auch bei angenommenen 0K gleich gross wäre ??
Keine Ahnung.
In der Praxis gibt es keine 0°K.
Ich kann dir auch erst recht keine Angabe geben "wie groß" der Effekt ist.
Wenn ein Porsche auf eine Mauer fährt, wird irgendwann die Beton- Mauer durchbrochen, da ist es ziemlich egal wie "heiß" der Porsche vorher war, viel entscheidender ist die Endgeschwindigkeit des Porsches bevor er die Mauer durchbricht.
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