AMD CPUs mit "Strained Silicon" Technologie

KairoCowboy · 21.08.2004

Wie The Semiconductor Reporter berichtet, soll in AMDs kommenden Prozessoren mit 90 nm Strukturgröße eine Technologie eingesetzt werden, welche es den Elektronen erlaubt sich mit einer um 10 - 25 % höheren Geschwindigkeit im Leiter zu bewegen. Dadurch sollen sowohl höhere Taktraten als auch eine geringere Wärmeverlustleistung erzielt werden können.

Diese als "Strained Silicon" bezeichnete Technologie erlaubt diese Geschwindigkeitsvorteile aufgrund der "gestreckten" (strained) Atomstruktur des Siliziums, wodurch die frei beweglichen und für das Signal verantwortlichen Elektronen quasi mehr Platz haben.

Wie weiterhin berichtet wird, will AMD diese Technologie vermutlich ebenfalls den in 130 nm gefertigten Prozessoren einführen, eine Stellungnahme seitens AMD blieb bisher jedoch aus.

p4z1f1st · 21.08.2004

hö ?

http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php3?s=&threadid=176956

*noahnung*

KairoCowboy · 21.08.2004

ja? wasn?
du bist aber fix... *G*

naja in den news stands doch noch net oder?

p4z1f1st · 21.08.2004

ich will nicht höhnisch wirken (keines falls) aber das mit SOI ist ein 2Jahre alter Hut *buck*

der U.W.E. · 21.08.2004

Original geschrieben von KairoCowboy
aufgrund der "gestreckten" (strained) Atomstruktur des Silicons

ich würd lieber silizium schreiben, sonst denkt womöglich noch jemand was anderes

KairoCowboy · 21.08.2004

oh gott LOOOOOLL !!!

ich editier ma eben *g*

bin etwas aus der übung...

@ pazifist

da gehts ja auch ne um SOI sondern eben um strained Silicon, das setzt intel und IBM seit einigen jahren ein, amd jedoch nicht...