45nm, aber wie???
- Ersteller sciing
- Erstellt am
Hallo zusammen!
Ich wollte mal eine neuen Thread eröffnen in dem spekuliert werden soll, was bei 45nm alles so rein kommt. Schliesslich ist gerade die Zeit in der festgelegt, was geht und was geht nicht. Leider gibt es noch nicht so viele Infos.
Litho:
Nachdem 157(?)nm ja Tod ist und EUV noch lange nicht reif, wird also weiter mit 193nm und (neu) mit Immersionslithografie gearbeitet. Dabei wird zwischen Linsen und Wafer Wasser gebracht was den deep of focus verbessert. Gleichzeitig werden die Aparturen (high NA) was Auflösungsvermögen verbessert. Dazu noch alle Resolution Enhancement Techniques (RET) wie Quadropolbeleuchtung, Phase Shift Masken und optischen Proximity Korrektur (OPC), was aber schon mit 65nm ziemlich ausgereizt wird. (Entschuldigung für das Denglisch, aber es gibt nunmal selten deutsche Fachbegrifffe)
Gate:
Die Materialien scheinen ja noch völlig offen. Intel wollte eigentlich high-k (HfSiO) bringen und diese mit sogenannten Metallgates (FuSi
- fully silicided) verbinden. Machte aber in letzter Zeit eher zurückhaltende Antworten.
Die Gatelänge ist irgentwo bei 22 nm, TOx (equ.) wohl bei 1 nm. Strained silicon kommt in der x.ten Generation.
Intel scheint weiterhin kein SOI zu verwenden ().
AMD/IBM setzt auf eine Kombination: http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php?p=2265103#post2265103. Die NFET sind SOI und die PFET bulk. Dadurch kann man mit verschiedenen Kristallrichtungen für die Kanäle arbeiten.
Was komisch ist, dass keiner bis jetzt 3 dimensionale Devices (z.B. FinFETs) machen will (oder doch??). Dabei verwendet SAMSUNG schon bei seinen 90nm-DRAM so etwas ähnliches (s. RCAT http://www.micromagazine.com/archive/05/07/chipworks.html)
Verdrahtung:
Kupfer was sonst, obwohl es ja ziemlich in Frage gestellt wurde. Denn es könnte das Aluminium bei kleineren Strukturen besser ist, oder besser Kupfer wird gleich schlecht. Ersatz (Silber??) ist glaube ich nicht in Sicht.
Ich denke aber, dass man bei Kupfer bleiben wird. Aluminium ist einfach nicht prozessfähig, da der notwendige Damascene-Prozess mit Alu nicht geht.
Bleibt die Frage nach den low-k Materialien. Noch vor 5 Jahren war das ein Riesen-Thema, aber jetzt scheint man sich mit kohlenstoffhaltigen SiO bei k=2.x zufrieden zu geben bzw. zu geben müssen. Tja poröse und/oder organsiche Materialien sind wohl nicht geeignet. Siehe den Tod von SiLK.
Die Spekulation ist eröffnet.
Tschau Sören
PS: Meine Links sind dürftig, wer will kann sie Vervollständigen
Ich wollte mal eine neuen Thread eröffnen in dem spekuliert werden soll, was bei 45nm alles so rein kommt. Schliesslich ist gerade die Zeit in der festgelegt, was geht und was geht nicht. Leider gibt es noch nicht so viele Infos.
Litho:
Nachdem 157(?)nm ja Tod ist und EUV noch lange nicht reif, wird also weiter mit 193nm und (neu) mit Immersionslithografie gearbeitet. Dabei wird zwischen Linsen und Wafer Wasser gebracht was den deep of focus verbessert. Gleichzeitig werden die Aparturen (high NA) was Auflösungsvermögen verbessert. Dazu noch alle Resolution Enhancement Techniques (RET) wie Quadropolbeleuchtung, Phase Shift Masken und optischen Proximity Korrektur (OPC), was aber schon mit 65nm ziemlich ausgereizt wird. (Entschuldigung für das Denglisch, aber es gibt nunmal selten deutsche Fachbegrifffe)
Gate:
Die Materialien scheinen ja noch völlig offen. Intel wollte eigentlich high-k (HfSiO) bringen und diese mit sogenannten Metallgates (FuSi
- fully silicided) verbinden. Machte aber in letzter Zeit eher zurückhaltende Antworten. Die Gatelänge ist irgentwo bei 22 nm, TOx (equ.) wohl bei 1 nm. Strained silicon kommt in der x.ten Generation.
Intel scheint weiterhin kein SOI zu verwenden (
).AMD/IBM setzt auf eine Kombination: http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php?p=2265103#post2265103. Die NFET sind SOI und die PFET bulk. Dadurch kann man mit verschiedenen Kristallrichtungen für die Kanäle arbeiten.
Was komisch ist, dass keiner bis jetzt 3 dimensionale Devices (z.B. FinFETs) machen will (oder doch??). Dabei verwendet SAMSUNG schon bei seinen 90nm-DRAM so etwas ähnliches (s. RCAT http://www.micromagazine.com/archive/05/07/chipworks.html)
Verdrahtung:
Kupfer was sonst, obwohl es ja ziemlich in Frage gestellt wurde. Denn es könnte das Aluminium bei kleineren Strukturen besser ist, oder besser Kupfer wird gleich schlecht. Ersatz (Silber??) ist glaube ich nicht in Sicht.
Ich denke aber, dass man bei Kupfer bleiben wird. Aluminium ist einfach nicht prozessfähig, da der notwendige Damascene-Prozess mit Alu nicht geht.
Bleibt die Frage nach den low-k Materialien. Noch vor 5 Jahren war das ein Riesen-Thema, aber jetzt scheint man sich mit kohlenstoffhaltigen SiO bei k=2.x zufrieden zu geben bzw. zu geben müssen. Tja poröse und/oder organsiche Materialien sind wohl nicht geeignet. Siehe den Tod von SiLK.
Die Spekulation ist eröffnet.
Tschau Sören
PS: Meine Links sind dürftig, wer will kann sie Vervollständigen
1. Viel zu sachlich.
2. Wo bleibt die Spekulation?
3. Warum wird AMD nicht in den Himmel gelobt? Schande!
4. Wo sind die bunten Werbeblätter und Links, sind da etwa echte Kenntnisse vorhanden? Das zählt nicht!
MFG Bobo(2005)
PS: Wer Ironie findet, der darf die mit nach Hause nehmen und seiner Liebsten in die Schuhe schieben ...
2. Wo bleibt die Spekulation?
3. Warum wird AMD nicht in den Himmel gelobt? Schande!
4. Wo sind die bunten Werbeblätter und Links, sind da etwa echte Kenntnisse vorhanden? Das zählt nicht!
MFG Bobo(2005)
PS: Wer Ironie findet, der darf die mit nach Hause nehmen und seiner Liebsten in die Schuhe schieben ...
rkinet
Grand Admiral Special
http://www.heise.de/newsticker/meldung/63830 oder
http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php?p=2392076#post2392076
http://eetimes.com/news/latest/technology/showArticle.jhtml?articleID=164900232 (Sony/ Toshiba)
Intel baut einen neue Fab für 45 nm,
Samsung rüstet um und fertigt ab H2'2006 in 50nm.
Sony/ Toshiba: 45nm embedded DRAM bis März'07.
Die Strukturen bei Speichern werden in etwas anderen Rastern geändert,
aber 50nm und 45 nm Techniken sind etwa ähnlich anspruchsvoll.
Das Thema ist also fertigungstechnisch durch - wie werden wir eben beizeiten durch die Herstellerfirmen oder inoff. Quellen erfahren. Manchmal auch von den Chipausrüstern, wenn entsprechende Technik ausgeliefert wird.
http://www.planet3dnow.de/vbulletin/showthread.php?p=2392076#post2392076
http://eetimes.com/news/latest/technology/showArticle.jhtml?articleID=164900232 (Sony/ Toshiba)
Intel baut einen neue Fab für 45 nm,
Samsung rüstet um und fertigt ab H2'2006 in 50nm.
Sony/ Toshiba: 45nm embedded DRAM bis März'07.
Die Strukturen bei Speichern werden in etwas anderen Rastern geändert,
aber 50nm und 45 nm Techniken sind etwa ähnlich anspruchsvoll.
Das Thema ist also fertigungstechnisch durch - wie werden wir eben beizeiten durch die Herstellerfirmen oder inoff. Quellen erfahren. Manchmal auch von den Chipausrüstern, wenn entsprechende Technik ausgeliefert wird.
Zuletzt bearbeitet:
Ich moechte hier nicht wieder den Endspurtthread weiterführen, entweder Du hast ein paar Anmerkungen zum Thema oder Du lässt es.rkinet schrieb:
Was macht nun z.B. Intel?? High-k oder weiterhin nitridiertes SiO??
Tschau Soeren
Nein, sind sie nicht. Bei Flash geht es "fast" einzig und allein darum feinere Strukturen hinzubekommen. Die Komplexität ist relativ "gering". Das Transistorbau ist viel einfacher (bei Flash braucht man kein 1,0 nm Gateoxid, nur ein dünnes Tunnel(!)-oxid was je nach Schreibspannungen um die 5-10 nm dick ist). Die Anzahl und Anforderungen an die Metallbahnen (3 W/Al vs. 8 Cu) sind weniger. "Nur" der Pitch ist aggressiver, ich denke mal bei Samsung ca. 110 nm. zum Vergleich Intel hat bei 65 nm 220 nm Pitch. Außerdem steht jede Menge Redundanz zu Verfügung, was bei Prozessoren nur für die SRAMs gilt.rkinet schrieb:
Fazit: 50 nm Flash sind näher an 65 nm als an 45 nm.
Tschau Soeren
RLZ
Captain Special
- Mitglied seit
- 22.02.2003
- Beiträge
- 239
- Renomée
- 5
Afaik wollte Intel doch vor 2-3 Jahren Trigate Transistoren für 45nm verwenden.sciing schrieb:
Anfang des Jahres sah Intel Meinung aber wohl so aus:
Quelle: *klick*
Hört sich für mich eigentlich so an, als ob es da bei der Herstellung Probleme gibt und man die Implementierung soweit wie möglich nach hinten schiebt...
LinuS
Vice Admiral Special
Hab was gefunden, vielleicht interessiert euch das ja 
Immersionslithographie deutlich verbessert
Immersionslithographie deutlich verbessertrkinet
Grand Admiral Special
Da sind auch noch IBM, Infineon und AMD beteiligt - http://www.eetimes.de/semi/news/showArticle.jhtml?articleID=46200219LinuS schrieb:aus diesem Posting
Hab was gefunden, vielleicht interessiert euch das ja
Oben steht zwar: "Die jetztigen Ergebnisse zeigen, dass die Immersionslithographie eine praktikable Herstellungstechnik für den 45-nm-Node darstellt" , aber gewinnt die Technik auch das Rennen um die Litho für 45nm ?
rkinet
Grand Admiral Special
Klar - es funktioniert nicht mit 45nm - weltweit.sciing schrieb:
Ganz so schlimm scheint es aber nicht zu sein,
den Intel hat (s. http://www.intel.com/cd/corporate/pressroom/emea/deu/227729.htm?print&nocc = off. Mittteilung) Fertigungsingenieure vom 65nm auf den 45nm Prozess umgesetzt.
Tippe hier auch auf Immersionslithographie als Basis. Ob Intel bei 45nm ebenso wie bei 65nm auf einheitliche Fabs/ Techniken setzt muss man aber abwarten. Im Prinzip hat Intel mit den zwei 65nm Prozessen und vier geplanten 65nm Fabs bei relativ kompakten Cores (Merom/ Conroe wohl grob 85 mm2) zunächst auch keinen Zeitdruck für die breite Einführung von 45nm.
Intel könnte zudem einen geshrinkte Variante seines neuen 65nm Ultra-low Power Przesses einsetzen ( http://www.tecchannel.de/news/themen/technologie/432181/ ). Damit erscheinen Mobil-Applikationen, aber auch langsame (= Sub 2 GHz Bereich) x86-64 Multicore denkbar.
Für den normalen Desktop /Serverbereich bei Intel muss man mal abwarten, die hier üblichen Leckströme erscheinen mir bei 45nm dann doch noch problematisch.
Der Einstieg in 45nm per PDA u.ä. würde für Intel natürlich das Yield-Rate Problem relativieren. Die Kritiker von 45nm für 2007 in Serie hätten dann teilweise Recht mit ihren Bedenken, wobei gleichzeitig Intels off. Ankündigung bzgl. neuer 45nm Fab weitgehend termingerecht zu erwarten wäre.
Zuletzt bearbeitet:
