Zehnfacher Geschwindigkeitssprung in zukünfigen Transistoren

AMD gibt heute eine neue Technnologie bekannt, mit der der Chiphersteller die Geschwindigkeit einen 10-fachen Geschwindigkeitssprung der Transistoren erreichen will. Mit diesen neuen Transistoren will AMD bessere Produkte auf den Markt bringen und gleichzeitig die Fertigungskosten senken. Hier ein Auszug aus der <a href="http://www.amd.com/us-en/Corporate/VirtualPressRoom/0,,51_104_543~42454,00.html" target="_blank">offiziellen Pressemitteilung</a>: <ul><i>Sunnyvale, CA -- September 10, 2002 --SUNNYVALE, CA—September 10, 2002—AMD (NYSE: AMD) today announced it has fabricated the smallest double-gate transistors reported to date using industry standard technology. These transistors, measuring ten nanometers, or ten billionths of a meter in length (gate), are six times smaller than the smallest transistors currently in production. AMD's research breakthrough could foster the placement of a billion transistors on the same size chip that currently holds 100 million transistors, enabling a vastly richer computing experience. </i></ul>Demnach soll die Gate-Länge des neuen Transistors nur noch 10 Nanometer betragen, was nur noch einem Sechstel von dem heutiger Transistoren entspricht. Außerdem handelt es sich bei dem neuen Transistor um einen Double Gate Transistor, was zu dem Ergebnis führt, dass der doppelte Strom wie durch einen gewöhnlichen Transistor fließt. Mehr Informationen gibt es in der Pressemitteilung (siehe oben).

Hmm...

Soche Meldungen kommen irgendwie jedes Jahr, aber der (demnach zu erwartende) 5 bis 10GHz Prozessor laesst (wie gewohnt) auf sich warten

Naja, wenigstens die in den Labors konnten mal wieder zeigen, was sie koenn(t)en

Gruss
FalconFly

Im ersten Satz ist ein Schreibfehler. Da steht "Trabnsistoren"

Ansonsten: Gibts schon Aussagen, wie lange es dauert, bis sowas in die Serienproduktion enfliesst?

Also bei so kleinen Transistoren... einer Milliarde Transistoren auf der Chipgröße, die heute 100 Millionen Transistoren brauchen... Und da es zwei Gates pro Transistor gibt auch noch mehr Strom...
Selbst wenn die Strommenge pro Gate gesenkt wird (durch die kleineren Strukturen) - wie zum Geier soll man das noch vernünftig kühlen? Wird dann die Wakü Pflicht

Coyo, der seinem Rechner schonmal das Tauchen beibringt 8)

Hab auch so ein leichtes deja vu...
wie groß ist eigentlich die Gitterkonstante von Si?

die Gitterkonstante von Silizium beträgt 0,235nm. Also noch Platz genug

Schätze nur das die Gitterkonstante noch das geringste Problem sein wird, für künftige Prozessoren.

Gruß
Dwarf

find ich übrigens super, dass es neue Newsposter gibt oder auch Forenuser News posten

wie bekommen die den leckstrom in den griff?

Original geschrieben von Coyo
Also bei so kleinen Transistoren... einer Milliarde Transistoren auf der Chipgröße, die heute 100 Millionen Transistoren brauchen... Und da es zwei Gates pro Transistor gibt auch noch mehr Strom...
Selbst wenn die Strommenge pro Gate gesenkt wird (durch die kleineren Strukturen) - wie zum Geier soll man das noch vernünftig kühlen? Wird dann die Wakü Pflicht

Coyo, der seinem Rechner schonmal das Tauchen beibringt 8)

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So wie ich das verstanden habe, kann man dank dieses Dual-Gate die Spannung senken, um den gleichen Strom und damit die gleiche Signalqualität zu erreichen wie mit einem Gate. IMHO wird diese Technik also den Energiebedarf nicht steigern sondern senken.

Original geschrieben von hacki
wie bekommen die den leckstrom in den griff?

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AFAIK soll SOI eine Maßnahme gegen diese Problem sein, bin mir aber nicht 100%ig sicher.

Selbst wenn die (Verlust-)Leistung durch die Dual-Gate-Transistoren sinkt, dann stehen dem doch wieder kleinere Strukturen gegenüber.
Letztlich wird es wohl wieder darauf hinauslaufen, dass das Die kleiner wird, der Prozessor komplexer, vielleicht kommt sogar noch eine Transistorschicht dazu (oder zwei oder drei... ) und dann wird man sehen, wieviel Takt man reinblasen kann, ohne mehr als 70 Watt Verlustleistung zu haben - aber vielleicht muss man auch schon viel früher die Bremse ziehen, wenn die Fläche so klein wird, dass nichtmal mehr mit Kupfer oder Silber eine vernünftige Wärmeabfuhr gewährleistet ist.
Oder vielleicht gibt es dann sowas wie einen integrierten Wasser-Heatspreader mit Anschlüssen für eine Wakü, wir werden sehen

Coyo, der sich abwartend zurücklehnt

Zu den Leckströmen habe ich gerade noch etwas in AMDs Pressebericht gelesen:

The Fin Field Effect Transistor (FinFET) design relies upon a thin vertical silicon "fin" to help control leakage of current through the transistor when it is in the "off" stage.

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Dann gibts sicherlich noch viele weitere Prozessverbesserungen, wie beispielsweise low-k Dielektrika, die alle darauf zielen, mehr Takt mit weniger Energie zu erreichen.